公开(公告)号：CN111640868B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202010400521.1

申请日：2020-05-13

申请人： 上海大学

发明人： 杨伟光 ,  郭辉 ,  陈伟 ,  王聪 ,  黄璐 ,  崔星煜

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  H01L51/00

摘要： 本发明公开了一种基于电子辐照改性的钙钛矿薄膜光电器件的制备方法，属于光电器件领域。本发明对钙钛矿薄膜的卤化铅前驱体溶液进行电子辐照后，再旋涂成前驱体薄膜，滴加甲胺碘溶液后，经过反应和退火得到改性后的钙钛矿薄膜并制备器件。本发明制备的钙钛矿薄膜晶粒尺寸大，表面平整光滑，可以钝化界面，有效减少晶界效应，促进光子传化为电子的能力，从而降低器件的串联电阻，增大填充因子和光电转化效率。本发明方法工艺简单便捷，可重复性好，为大规模生产高性能钙钛矿薄膜光电器件提供了可行的方案，对器件性能提升显著。

公开(公告)号：CN105641780A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610139221.6

申请日：2016-03-12

申请人： 上海大学

发明人： 牟群 ,  刘帅帅 ,  王林军 ,  黄璐

IPC分类号： A61M5/168

CPC分类号： A61M5/1684 ,  A61M2005/16868 ,  A61M2205/18

摘要： 本发明提供一种红外线输液分级预警系统，其包括电池等，电池位于壳体的一个侧面上，红色发光二极管、绿色发光二极管、黄色发光二极管、报警器、第一传感器都位于壳体的另一个侧面上，红色发光二极管、绿色发光二极管、黄色发光二极管、报警器、第一传感器、第二传感器依次从上至下排布，第二传感器位于支架的一个侧面上，监视框位于壳体的正面上，支架与壳体的底端固定。本发明根据医院给病人输液时的具体操作与需求，利用分级红外线传感器装置制备固定支架，使用时将输液瓶放置在设备中，当设备达到设置的液面时，报警器发出警报，给护士留下准备时间，节约人力资源，使病人得到更好的服务。

公开(公告)号：CN101962752A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010524867.9

申请日：2010-10-29

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  武文军 ,  聂磊 ,  陈洁利 ,  张小丽 ,  刘晟 ,  马磊 ,  淤凡枫 ,  胡喆 ,  黄璐 ,  孙杰 ,  陈振一 ,  周杰

IPC分类号： C23C14/26 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

摘要： 本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10-3Pa，衬底与蒸发源钼舟间的距离为20cm左右，控制SnS和ZnS的蒸发温度为1000～1200℃；蒸发过程完成后，进入真空管式退火炉进行退火，退火的温度分别选择为300℃，400℃和500℃。本发明方法工艺简单，薄膜制备的效率高，制得的薄膜具有良好的电学和光学性能，适合应用于太阳能电池。

公开(公告)号：CN105891949A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610338171.4

申请日：2016-05-20

申请人： 上海大学

发明人： 张方方 ,  李冬梅 ,  杨伟光 ,  黄璐 ,  沈春夏 ,  马磊 ,  刘功龙 ,  史伟民

IPC分类号： G02B6/122

CPC分类号： G02B6/1225 ,  G02B2006/12176

摘要： 本发明公开了一种基于激光刻蚀空气柱二维光子晶体的制备方法，属制备光子晶体技术领域。本发明主要通过控制膜的厚度、孔径大小和孔间隙，来调节反射的颜色的不同。本发明是通过磁控溅射的方法在硅（Si）衬底上沉积铬（Cr）层和氧化硅（SiOx）层，然后在氧化硅（SiOx）层通过激光刻蚀的方法刻蚀空气柱来制备二维光子晶体。通过激光能量来调节孔径大小和孔间隙。本发明的二维光子晶体可以应用于光学防伪方面。

公开(公告)号：CN104851798A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510144917.3

申请日：2015-03-31

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  明秀春 ,  诸舜杰 ,  李雪萍 ,  刘建 ,  匡华慧 ,  黄璐

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/56

摘要： 本发明涉及一种解决聚酰亚胺(Polyimide)剥离以改善高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)而在其背面进行炉管退火的工艺方法， IGBT的Polyimide工艺通常包括：Polyimide有机物通过旋转涂覆在正面再经光刻把窗口打开。接着进行背面工艺：硅片减薄与表面处理、背面离子注入、离子退火、背面蒸金与退火等工艺。本发明主要针对IGBT背面工艺离子注入退火、背面金属退火工艺中提出了炉管温度分多段升降温，提高炉管真空，在正式生产片周围合理放置一定数量陪片的工艺，能解决Polyimide脱落的问题，在高压大功率IGBT等功率器件工艺中，具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN104037269A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410254559.7

申请日：2014-06-10

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  匡华慧 ,  黄璐 ,  金晶 ,  陆舒逸 ,  杨伟光 ,  刘进 ,  明秀春

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/202 ,  H01L21/02686 ,  H01L31/077

摘要： 本发明涉及一种基于激光诱导晶化的新型非晶硅薄膜太阳能电池器件，属无机材料太阳能器件制备的工艺技术领域。光学薄膜包括减反膜、增透膜、增反膜等，本发明主要通过控制晶粒大小，来达到调制光学薄膜层的增反和增透功能。本发明方法特征在于通过等离子体化学气相沉积法（PECVD）在氧化铟锡（ITO）导电玻璃上沉积三层分别为p型、i型和n型的非晶硅（a-Si）薄膜，然后使用波长为532nm的倍频掺钕钇铝石榴石（Nd:YAG）激光辐照样品表面，来实现n型和p型层由非晶硅转变为多晶硅(poly-Si)光学薄膜层。通过变化激光能量密度，来控制晶化光学薄膜层多晶硅晶粒大小，以调节光电转换效率。本发明的无机材料硅薄膜可应用于太阳能汽车玻璃上和建筑物玻璃幕墙上。

公开(公告)号：CN102965617A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210469242.6

申请日：2012-11-20

申请人： 上海大学

发明人： 刘功龙 ,  马磊 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  吕燕芳 ,  钱隽 ,  李季戎 ,  黄璐

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/24

摘要： 本发明涉及一种超声波辅助下油浴真空物理气相沉积多晶碘化汞厚膜的装置和方法，本装置包括油浴加热槽，厚膜原料蒸发管，基板温度控制仪，真空室，磨砂石英顶盖和超声波发生器；多晶碘化汞粉末放置于厚膜原料蒸发管的底部，多晶碘化汞粉末蒸发后即沉积于基片的下表面上。本方法为超声波辅助下油浴真空物理气相沉积法的改进。本发明装置结构简单、可重复使用、易于操作、生长腔体成本低廉，基板温度可精确控制；本发明方法制备得到的多晶碘化汞厚膜取向性高，致密性好，晶粒尺寸小，电学性能佳，为多晶碘化汞半导体辐射探测的制备打下了坚实的基础。

公开(公告)号：CN101710568B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN101710568A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910199555.2

申请日：2009-11-26

申请人： 上海大学

发明人： 史伟民 ,  金晶 ,  陈盛 ,  陈洁利 ,  余俊阳 ,  黄璐

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/30 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用醋酸镍溶液诱导晶化非晶硅薄膜的方法。属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。本发明方法主要过程为：(1)将镀有氧化铟锡(ITO)的玻璃作为衬底，并进行洁净处理；(2)非晶硅薄膜的制备，用气相沉积法在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜；用硅烷与氢气的混合气体为反应气体；(3)配制醋酸镍溶液；(4)涂覆醋酸镍溶液，随后热处理，温度为500～550℃，处理4～6小时，最终制得的微晶硅薄膜的晶化率为60～80％，晶粒大小在100nm以上。本发明产物适用于太阳能电池制造领域。

公开(公告)号：CN116925741A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310908366.8

申请日：2023-07-24

申请人： 上海大学

发明人： 黄璐 ,  刘曦宇 ,  李展鹏 ,  孙子博 ,  黄欣阳

IPC分类号： C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  C09K11/06 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  G09F3/02 ,  C09D5/30 ,  C09D7/61 ,  C09D7/65

摘要： 本发明涉及一种防伪荧光材料，具体涉及一种具有红外双波段荧光的钙钛矿量子点@MOF复合材料及其制备方法和应用，钙钛矿量子点复合于MOF材料的纳米孔洞中；所述的钙钛矿量子点为卤化铅铯钙钛矿量子点；所述的MOF材料为位点含有稀土元素的MOF材料；钙钛矿量子点与MOF材料通过相同波长的紫外光激发，产生的两个红外发射峰之间的位移不低于200nm。与现有技术相比，本发明利用MOF纳米级的孔洞装载钙钛矿量子点，实现了在同一紫外光激发下获得非常稳定的MOF红外发射峰和相对稳定的钙钛矿量子点红外发射峰，进一步对钙钛矿量子点@MOF复合材料进行硬质固化封装，能够得到稳定的红外双波段防伪荧光材料。