公开(公告)号：CN103746037B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201410001041.2

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨惠敏 ,  黄健 ,  张磊 ,  任兵 ,  陶骏 ,  张凯勋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Si pn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品，所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度，且可同时探测紫外光和可见光。

公开(公告)号：CN103952675A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410173480.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  任兵 ,  沈心蔚 ,  黄健 ,  杨晓蓉 ,  杨惠敏 ,  唐可 ,  沈忠文 ,  夏义本

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明为一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法，公开了一种应用于光伏产业的硫化亚铜薄膜的制备技术。所述制备方法是基于直流磁控溅射技术。该工艺以高纯度硫化亚铜为溅射靶材，使用氩气作为工作气体。该方法具有沉积速率高、膜厚可控、重复性好等特点，可以制备大面积、均匀、高质量的硫化亚铜薄膜，有望实现硫化亚铜薄膜的产业化生产。

公开(公告)号：CN103746037A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410001041.2

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨惠敏 ,  黄健 ,  张磊 ,  任兵 ,  陶骏 ,  张凯勋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Sipn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品，所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度，且可同时探测紫外光和可见光。