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公开(公告)号：CN114166902A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111484534.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种限域型氢气传感器制备方法，在CNC上沉积20‑1000个循环的ALD SnO2膜，在CNC上沉积1‑500个循环的NiO，沉积40个循环的NiO，沉积SnO2，制备SnO2外表面限域和SnO2纳米管内表面限域NiO样品，在CNC上沉积NiO，然后沉积ALD‑SnO2，再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO，在400‑1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板，去除模板接口获得材料，本发明同现有技术相比，NiO和SnO2的协同效应导致了I‑NiSnNCs的漏斗效应，实现了对氢的高传感性能。
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公开(公告)号：CN114166902B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111484534.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种限域型氢气传感器制备方法，在CNC上沉积20‑1000个循环的ALD SnO2膜，在CNC上沉积1‑500个循环的NiO，沉积40个循环的NiO，沉积SnO2，制备SnO2外表面限域和SnO2纳米管内表面限域NiO样品，在CNC上沉积NiO，然后沉积ALD‑SnO2，再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO，在400‑1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板，去除模板接口获得材料，本发明同现有技术相比，NiO和SnO2的协同效应导致了I‑NiSnNCs的漏斗效应，实现了对氢的高传感性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116337953A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310446167.X
申请日：2023-04-24
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于贵金属/NiO复合材料的气体传感器、制备方法与应用，其制备方法主要是通过还原性醇在NiO纳米薄片表面还原贵金属，制得贵金属/NiO复合材料，并将其涂覆于MEMS芯片上，利用贵金属的电子敏化作用，实现对二甲苯的高灵敏、特异性检测。与现有技术相比，本发明的制备方法简单，所使用的贵金属还原剂能温和地还原贵金属获得均匀的纳米粒子，制备得到的二甲苯MEMS气体传感器对二甲苯具有高灵敏、特异性的检测，且可以增加气体传感器长期工作状态下的稳定性，适用更广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115710695A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211393937.0
申请日：2022-11-08
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及气敏薄膜制备技术领域，具体地说是一种一体化晶圆级硫化氢气敏薄膜及单个MEMS硫化氢气敏薄膜的制备方法，在原子层沉积ALD之前，首先对晶圆MEMS进行清洁和干燥，将MEMS转移至ALD反应器中，以二乙基锌和水为前驱体沉积ZnO薄膜，通过控制ALD ZnO在MEMS上沉积的循环次数，以获得不同厚度ZnO薄膜，同现有技术相比，本发明利用ALD在晶圆MEMS上原位构建一体化ZnO超薄气敏薄膜，实现高结合强度、高灵敏度和长期稳定的MEMS传感器制备，该工艺可有效提高MEMS传感器的一致性，并实现高通量、一致性和均匀性制备，提高MEMS硫化氢传感器的制备效率。
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公开(公告)号：CN114152652A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111485555.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，对MEMS进行清洁和干燥后转移至ALD反应器中，以四(二甲氨基)锡(IV)和水为前驱体沉积SnO2薄膜，控制ALD SnO2在MEMS上沉积的循环次数，获得不同厚度SnO2薄膜，在MEMS沉积150循环的ALD‑SnO2上继续沉积NiO，以二茂镍(NiCp2)和O3为前体，沉积温度270℃，对NiCp2的脉冲、暴露和吹扫，改变MEMS上沉积ALD NiO的循环次数获得不同比例NiO‑SnO2界面位点的敏感材料，本发明同现有技术相比通过原子层沉积精准控制纳米大小或膜厚度，实现高强度、高灵敏和稳定的MEMS传感器制备。
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公开(公告)号：CN118835310A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410887936.4
申请日：2024-07-03
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种特定晶面暴露的晶圆级单晶薄膜的可控制备方法，通过在ALD沉积过程中引入臭氧实现了(002)晶面暴露的晶圆级单晶TiO2薄膜的制备；通过在沉积过程后加入1个循环的ALD Pt与臭氧，在光照条件下的金属载体强相互作用(SMSI)实现了具有(001)晶面暴露的晶圆级TiO2单晶薄膜的可控制备。本发明实现了具有不同晶面暴露的单晶TiO2薄膜的制备。薄膜强度明显提升，相比于传统旋涂工艺，强度提高近100倍，且不同区域一致性好。晶薄膜具有优异的HF和NO传感性能。具有晶面暴露的晶圆级TiO2单晶薄膜在半导体制造领域和高性能催化剂制备方面展现出独特的价值。
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公开(公告)号：CN219265367U
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202222280667.4
申请日：2022-08-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于MEMS器件的电阻型传感器测试装置，包括电源适配器、测试电路稳压电源、加热电路稳压电源、数模转换板和测试仓，所述电源适配器分别与测试电路稳压电源和加热电路稳压电源连接，所述测试电路稳压电源和加热电路稳压电源均与数模转换板连接，所述数模转换板与测试仓连接。本实用新型，电源适配器输出稳定的12V电压供给两路稳压电源，测试路电压通过稳压电源稳定在10V，加热路电压通过稳压电源调节稳定的输出以为传感器提供稳定的加热电压从而使加热电阻提供稳定的环境温度；测试仓内治具上的MEMS传感器感受外部环境变化导致电阻改变被数模转换板感知，采集信号传输给电脑，完成非电信号转化为电信号的传感转换过程。
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