-
公开(公告)号：CN115616038A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211035954.7
申请日：2022-08-27
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS器件阵列智能补偿的气体检测芯片，包括气体传感器、温湿度传感器一、排阻一、温湿度传感器二、排阻二和接口，所述气体传感器共设置有16个。本发明，通过接入VCC、VDD、GND使芯片正常工作，芯片将感知到的信息传输给MCU(微控制单元)或计算机，便可实现气体传感器阵列对相应气体的采集以及温湿度的采集，得到多点待测目标气体、类似气体以及两个实时温湿度的数值。
-
公开(公告)号：CN114166902B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111484534.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种限域型氢气传感器制备方法，在CNC上沉积20‑1000个循环的ALD SnO2膜，在CNC上沉积1‑500个循环的NiO，沉积40个循环的NiO，沉积SnO2，制备SnO2外表面限域和SnO2纳米管内表面限域NiO样品，在CNC上沉积NiO，然后沉积ALD‑SnO2，再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO，在400‑1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板，去除模板接口获得材料，本发明同现有技术相比，NiO和SnO2的协同效应导致了I‑NiSnNCs的漏斗效应，实现了对氢的高传感性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116337953A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310446167.X
申请日：2023-04-24
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及一种基于贵金属/NiO复合材料的气体传感器、制备方法与应用，其制备方法主要是通过还原性醇在NiO纳米薄片表面还原贵金属，制得贵金属/NiO复合材料，并将其涂覆于MEMS芯片上，利用贵金属的电子敏化作用，实现对二甲苯的高灵敏、特异性检测。与现有技术相比，本发明的制备方法简单，所使用的贵金属还原剂能温和地还原贵金属获得均匀的纳米粒子，制备得到的二甲苯MEMS气体传感器对二甲苯具有高灵敏、特异性的检测，且可以增加气体传感器长期工作状态下的稳定性，适用更广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN115710695A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211393937.0
申请日：2022-11-08
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及气敏薄膜制备技术领域，具体地说是一种一体化晶圆级硫化氢气敏薄膜及单个MEMS硫化氢气敏薄膜的制备方法，在原子层沉积ALD之前，首先对晶圆MEMS进行清洁和干燥，将MEMS转移至ALD反应器中，以二乙基锌和水为前驱体沉积ZnO薄膜，通过控制ALD ZnO在MEMS上沉积的循环次数，以获得不同厚度ZnO薄膜，同现有技术相比，本发明利用ALD在晶圆MEMS上原位构建一体化ZnO超薄气敏薄膜，实现高结合强度、高灵敏度和长期稳定的MEMS传感器制备，该工艺可有效提高MEMS传感器的一致性，并实现高通量、一致性和均匀性制备，提高MEMS硫化氢传感器的制备效率。
-
公开(公告)号：CN114152652A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111485555.6
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种一体化MEMS氢气传感器制备方法，对MEMS进行清洁和干燥后转移至ALD反应器中，以四(二甲氨基)锡(IV)和水为前驱体沉积SnO2薄膜，控制ALD SnO2在MEMS上沉积的循环次数，获得不同厚度SnO2薄膜，在MEMS沉积150循环的ALD‑SnO2上继续沉积NiO，以二茂镍(NiCp2)和O3为前体，沉积温度270℃，对NiCp2的脉冲、暴露和吹扫，改变MEMS上沉积ALD NiO的循环次数获得不同比例NiO‑SnO2界面位点的敏感材料，本发明同现有技术相比通过原子层沉积精准控制纳米大小或膜厚度，实现高强度、高灵敏和稳定的MEMS传感器制备。
-
公开(公告)号：CN116083878A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211392327.9
申请日：2022-11-08
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及气敏薄膜制备技术领域，具体地说是一种一体化异质型MEMS硫化氢传感器气敏薄膜制备方法，在原子层沉积ALD之前，首先对MEMS晶圆进行清洁和干燥，将MEMS转移至ALD反应器中，以二乙基锌和水为前驱体沉积ZnO薄膜，通过在ALD反应器中控制CoOx在MEMS上沉积的循环次数，以获得不同数量CoOx‑ZnO异质结构薄膜，同现有技术相比，本发明利用ALD可在原子水平上精准控制纳米颗粒大小或膜厚度以及精确调控和原位一体化结构等优势，实现高结合强度、高灵敏度和长期稳定的MEMS气敏薄膜制备，有效提高MEMS传感器的一致性，实现高通量、一致性和均匀性制备，提高MEMS硫化氢传感器的制备效率。
-
公开(公告)号：CN114166902A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111484534.2
申请日：2021-12-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，具体地说是一种限域型氢气传感器制备方法，在CNC上沉积20‑1000个循环的ALD SnO2膜，在CNC上沉积1‑500个循环的NiO，沉积40个循环的NiO，沉积SnO2，制备SnO2外表面限域和SnO2纳米管内表面限域NiO样品，在CNC上沉积NiO，然后沉积ALD‑SnO2，再沉积NiO即可得到SnO2内外表面同时限域NiO，在400‑1200℃下用空气煅烧3小时后形成模板，去除模板接口获得材料，本发明同现有技术相比，NiO和SnO2的协同效应导致了I‑NiSnNCs的漏斗效应，实现了对氢的高传感性能。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.014 seconds)
