公开(公告)号：CN116769402A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310691346.X

申请日：2023-06-12

Applicant: 上海大学

Inventor： 蔡健聪 ,  徐闰 ,  王文贞 ,  潘秋涛 ,  赖紫怡 ,  王豪 ,  陈斐雪 ,  赖建明

IPC: C09G1/02 ,  B24B37/04

Abstract: 本发明公开了一种抛光液及CH3NH3PbI3晶体抛光方法，其中，抛光液，包括以下成分：按质量百分比计，乙醇：20％‑40％；硅油：40％‑60％；金刚石颗粒：1％‑20％；碱pH调节剂：0.1％‑0.5％；分散剂：0.1％‑0.5％；去离子水：1％‑2％。基于抛光液的CH3NH3PbI3晶体抛光方法，利用该抛光液可有效均衡CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光过程中的机械作业和化学反应作用，使得CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光处理过程高效、稳定，并大幅提高了CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光的质量，获得优质的抛光表面，提高晶体的物理、电学性能，实用性好。