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公开(公告)号：CN110565165B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810568142.6
申请日：2018-06-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法，将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中，溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势，对碘化铯溶液加热可以得到籽晶，然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。本发明操作方便，所用原料成本低廉，能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合，能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高，透明度高且具备独特的光致发光性能，该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。
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公开(公告)号：CN113504268A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110647239.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种用于卤化物钙钛矿器件的系统级电学性能测试装置，提供真空测试条件，提供不同温度测试条件，减少器件的拆取，减少夹具对器件的损失，将测试系统与数据采集进行自动化处理。所述测试装置包括真空装置、夹具装置、测试仪器、控制程序。所述测试凹台由塑料材质与金属外壳进行绝缘处理，测试台上方铜制平台及上方铜制弹片通过铜丝导线与电学测试接口连接。本发明构建了一套完整的电学测试系统，解决了钙钛矿材料测试引起的材料水解、材料水氧反应等引起的测试不稳定问题，实现了低温下和变温条件下的电学测试，实现了电学测试金属屏蔽，实现了程序自动化测试，提高了电学测试的准确性。
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公开(公告)号：CN106283195A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN116669445A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310691356.3
申请日：2023-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种新型CH3NH3PbI3辐射探测器件钝化方法，包括以下步骤：对CH3NH3PbI3晶体进行抛光处理，获得表面平整光滑的CH3NH3PbI3晶体预处理件；对CH3NH3PbI3晶体预处理件制备成CH3NH3PbI3辐射探测器；将CH3NH3PbI3辐射探测器浸入钝化剂中，等钝化剂钝化晶体表面及四周无电极处，生成绝缘PbI2层，获得钝化后的CH3NH3PbI3辐射探测器；取出钝化后的CH3NH3PbI3辐射探测器，用清洗剂将绝缘PbI2层上的残余钝化剂清洗干净；用高纯氮气吹净CH3NH3PbI3辐射探测器表面及四周无电极处残余清洗剂。本发明的一种新型CH3NH3PbI3辐射探测器件钝化方法，通过钝化剂与CH3NH3PbI3晶体的反应，在CH3NH3PbI3晶体表面及四周无电极处生成了绝缘PbI2层，不破坏CH3NH3PbI3晶体表面蒸镀电极的同时消除了无电极处漏电流对CH3NH3PbI3晶体辐射探测器的影响，显著提高了辐射探测器性能。
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公开(公告)号：CN113046830B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202110213111.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于混合溶剂的全无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9的单晶生长方法，利用多溶剂法制备全无机钙钛矿材料Cs3Sb2Cl9的前驱体溶液，有效提高了前驱体溶液的饱和浓度值。通过添加多种溶剂，及调节溶剂之间的不同配比，有效提高氯化铯和氯化锑混合物在溶剂中的溶解度。通过对前驱体溶液进行相应处理并改进晶体生长环境，同时合理调节不同生长阶段的降温速度，使用正温结晶法生长出大尺寸，高结晶质量的纯无机钙钛矿Cs3Sb2Cl9单晶，使用生长出的高质量单晶。本发明能得到对深紫外有一定响应性的大尺寸、高质量Cs3Sb2Cl9单晶。该制备方法步骤简单，成本低廉，过程可控，且制备的材料无毒无害对人体和环境友好，为制备绿色友好型半导体探测器提供可行性方案，具有显著推广价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106283195B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610805277.0
申请日：2016-09-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法，基于环流和逆温结晶来连续生长具有高结晶质量的钙钛矿单晶，属于新型材料器件制造工艺领域。本发明装置利用钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶中的温度差使装置中的钙钛矿溶液环流，将原料驱动瓶中的过饱和的钙钛矿溶液源源不断的输运到钙钛矿晶体生长瓶中参与逆温结晶。并通过控制钙钛矿晶体生长瓶和原料驱动瓶的各自的温度T1、T2和相应的温度差T，整体钙钛矿单晶的生长时间t，以及通过原料驱动瓶加入装置的原料m来控制钙钛矿单晶的生长速度和生长大小。本发明可以连续并且快速的生长钙钛矿单晶，易于大规模生产。通过本发明晶体制备方法，可生长得到对角线长度为钙钛矿晶体生长瓶尺寸大小的钙钛矿单晶，最大生长速度为1厘米/天，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN106098948A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610408763.9
申请日：2016-06-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0008
Abstract: 本发明公开了一种单步闪蒸法生长大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜及平面型太阳能电池的制备方法，其中钙钛矿薄膜制备方法是用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用瞬间快速将电流迅速加至200A，使蒸发舟温度瞬间达到1000℃以上，材料瞬间升华，通过调整不同溶液配比，制备出成份可控以及大晶粒尺寸的钙钛矿薄膜。采用一步闪蒸法制备的钙钛矿薄膜具有能耗低，蒸发速率快，时间短，薄膜无空洞且大面积均匀，衬底选择范围广，适合做平面型器件的特点。同时采用PCBM为n型材料，Spiro‑OMeTAD为p型材料与i型的钙钛矿薄膜一起构成p‑i‑n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率大于10.01%的器件。
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公开(公告)号：CN104134720A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410327199.9
申请日：2014-07-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L51/0008 , H01L51/0077 , H01L51/4226 , H01L51/4233
Abstract: 本发明涉及一种单源闪蒸法生长有机无机杂化钙钛矿材料及其平面型太阳能电池的制备方法，属于新型材料器件制造工艺领域。其中有机无机杂化钙钛矿薄膜制备方法是：用钙钛矿材料的溶液做单一蒸发源，采用小于1秒的时间将金属蒸发舟迅速加热至1000℃以上的温度，可制备出成份准确的有机无机杂化钙钛矿薄膜。采用单源闪蒸法制备的有机无机杂化钙钛矿薄膜具有蒸发速率快，薄膜无空洞，适合做平面型器件的特点。并采用TiO2或ZnO为n型材料，Spiro-OMeTAD为p型材料与i型的有机无机杂化钙钛矿薄膜一起构成p-i-n型平面太阳能电池器件，优化制备条件后可获得效率为6.26%的器件。
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公开(公告)号：CN116769402A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310691346.X
申请日：2023-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种抛光液及CH3NH3PbI3晶体抛光方法，其中，抛光液，包括以下成分：按质量百分比计，乙醇：20％‑40％；硅油：40％‑60％；金刚石颗粒：1％‑20％；碱pH调节剂：0.1％‑0.5％；分散剂：0.1％‑0.5％；去离子水：1％‑2％。基于抛光液的CH3NH3PbI3晶体抛光方法，利用该抛光液可有效均衡CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光过程中的机械作业和化学反应作用，使得CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光处理过程高效、稳定，并大幅提高了CH3NH3PbI3晶体化学机械抛光的质量，获得优质的抛光表面，提高晶体的物理、电学性能，实用性好。
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公开(公告)号：CN113061971B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110214026.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。
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