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公开(公告)号：CN109705862A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910080798.8
申请日：2019-01-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及材料科学领域，公开了一种纳米晶体制备方法，包括如下步骤：a.将CsBr，PbBr2和MnCl2按照大体上为1：1：3的比例，加入到装有DMF的容器中，然后采用超声振荡使之完全溶解，获得第一前驱液；继续在溶液中加入酸和胺来稳定第一前驱液，获得第二前驱液；将所述第二前驱液加入到快速搅拌的甲苯溶液中，发生反应，获得掺杂了Mn2+的CsPb(Br/Cl)3纳米晶体。本发明所得产物结晶性好，光学性能优良。
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公开(公告)号：CN110931379A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911202565.7
申请日：2019-11-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请涉及有半导体技术领域，提供了一种研磨工艺造成的SOI表面机械损伤的表征方法，包括：选取衬底步骤，选取多片SOI衬底；衬底预处理步骤，研磨处理所述SOI衬底，并进行抛光处理；诱生缺陷步骤，对所述SOI衬底进行热处理，并冷却；观测缺陷步骤，使用显微镜观察材料表面的缺陷数量及密度。本发明利用SOI材料表面存在的机械损伤在经过热处理后会聚集材料内部的间隙氧形成尺寸较大的OISF缺陷这一原理，无需使用SEM测试机台即可表征SOI材料制备工艺过程中由于研磨工艺带来的机械损伤，提高了便利性，降低了成本。
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公开(公告)号：CN110530567A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910811853.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种SOI键合片键合力的检测方法，能够对SOI键合片的键合力进行检测。本发明的测试过程包括待测SOI键合片的制备，超声波扫描显微镜的准备，刀片插入过程，测试过程等四个主要步骤。本发明方法测试过程简单易操作，对测试片损伤较小，得到的图片测试结果易于计算及分析。本发明方法采用超声波扫描显微镜来测量裂纹长度，相对于其他方法操作简便易于实施；本发明方法得到的检测结果更加直观，能得到的是直观的图像和分析，能得到键合面的具体细节特性及缺陷分布，分析与计算更加简便。
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公开(公告)号：CN110187184A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910555650.5
申请日：2019-06-25
Applicant: 上海大学
Inventor： 陈斯琦
IPC: G01R27/08
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，提供了一种电阻率测量仪，包括：底座、安装在底座上的测量仪主机、试样托盘、压力传动机构，压力传动机构通过支架与底座连接，压力传动机构上安装有测量探头，测量探头分别与压力传动机构、测量仪主机通信连接，测量探头所测量到的数据通过测量仪主机的屏幕显示；其中，测量仪主机包括DC/AC变换器，电压测量计，恒流源和微电脑控制系统，测量探头包括第一金属探针、第二金属探针、第三金属探针和第四金属探针，第一金属探针、第四金属探针和恒流源连接，第二金属探针、第三金属探针与电压测量计连接。本发明所提供的电阻率测量仪结构简单、稳定可靠性好、操作方便、精确度高、对试样的几何尺寸要求较低。
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