一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法、陶瓷基复合材料

    公开(公告)号:CN117003572B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202310959493.0

    申请日:2023-08-01

    摘要: 本发明提供了一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法,包括以下步骤:S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中,抽真空,在氮气保护下提升温度至950‑1000℃,并控制压力为5‑10kPa,通入丙烯,沉积30min‑2h,关闭丙烯的通入路径,完成PyC的沉积;S2、在步骤S1的基础上,继续将温度提升至1300‑1500℃,并控制压力为3‑10kPa,通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气,沉积10min‑1h,关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径,完成SiC的沉积,降温并将压力升至常压,得到PyC/SiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyC/SiC多层界面相无法均匀沉积的问题。

    一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法、陶瓷基复合材料

    公开(公告)号:CN117003572A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310959493.0

    申请日:2023-08-01

    摘要: 本发明提供了一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法,包括以下步骤:S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中,抽真空,在氮气保护下提升温度至950‑1000℃,并控制压力为5‑10kPa,通入丙烯,沉积30min‑2h,关闭丙烯的通入路径,完成PyC的沉积;S2、在步骤S1的基础上,继续将温度提升至1300‑1500℃,并控制压力为3‑10kPa,通入甲基三氯硅烷(MTS)和氢气,沉积10min‑1h,关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径,完成SiC的沉积,降温并将压力升至常压,得到PyC/SiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyC/SiC多层界面相无法均匀沉积的问题。