周跳检测方法、装置、电子设备及可读储存介质

    公开(公告)号:CN113514856A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110388651.2

    申请日:2021-04-12

    IPC分类号: G01S19/23 G01S19/29 G01S19/37

    摘要: 本发明提供了一种周跳检测方法、装置、电子设备及可读储存介质,其中,周跳检测方法,包括:获取目标历元的初始观测值,所述初始观测值包括N个第一卫星中每一所述第一卫星对应的位置参数与残差,N为大于1的整数;依据所述初始观测值,从所述N个第一卫星中确定出第二卫星,所述第二卫星为初始判定存在周跳的第一卫星;依据每一所述第二卫星对应的频点的数量,确定M个循环,M为大于1的整数;在所述M个循环中,依据所述第二卫星的数量、以及与所述第二卫星对应的位置参数与残差,检测所述初始观测值是否存在周跳。本发明能够有效降低周跳的虚假判断,避免了模糊度参数频繁的初始化,从而有助于提高卫星定位性能。

    一种碳化硅外延材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104465721B

    公开(公告)日:2019-05-14

    申请号:CN201410737773.8

    申请日:2014-12-05

    IPC分类号: H01L29/06 H01L21/205

    摘要: 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括:N+碳化硅单晶衬底层,位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N‑漂移层,其制备方法包括以下步骤:1、N+型衬底的准备;2、对N+型衬底的背面化学机械抛光;3、在背面进行P+支撑层的生长;4、N+型衬底正面的减薄;5、正面化学机械抛光;6、在正面进行N‑型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言,采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高,满足高压器件的需求。同时,该外延材料缺陷少,制作方法简单,工艺重复性好,适合工业化生产。

    一种取向硅钢叠片损耗计算方法及系统

    公开(公告)号:CN108491568A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810118805.4

    申请日:2018-02-06

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明提供了一种取向硅钢叠片损耗计算方法及系统,该取向硅钢叠片损耗计算方法包括:获取待测磁化工况信息、取向硅钢叠片的总有效质量m和取向硅钢叠片的单片厚度d、温度T及密度ρ;获取磁化工况中波形为正弦时取向硅钢叠片的比总损耗测试数据,并根据比总损耗测试数据确定磁滞损耗计算系数;根据计算系数及待测磁化工况信息,计算取向硅钢叠片的磁滞损耗;根据待测磁化工况信息、单片厚度d、温度T及密度ρ,计算取向硅钢叠片的涡流损耗;根据总有效质量m、磁滞损耗及涡流损耗计算取向硅钢叠片的总损耗。通过实施本发明,提高了计算结果的准确度,从而为取向硅钢叠片的科学研究及实际应用提供准确的数据基础。

    一种基于全寿命周期成本管理的配电网规划方法

    公开(公告)号:CN107180303A

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201710334365.1

    申请日:2017-05-12

    IPC分类号: G06Q10/06 G06Q50/06 G06N3/12

    摘要: 本发明公开了一种基于全寿命周期成本管理的配电网规划方法,包含以下过程:在满足电网安全稳定运行的前提下,给出配电网规划方案全寿命周期成本的计算模型,以全寿命周期成本最小为目标函数,利用聚类排挤小生境遗传算法对配网路径规划进行优化,通过对不同的开关布置方式进行全寿命周期费用对比分析得到全寿命周期最小的配电规划方案。最后通过算例证明该方法的可行性和有效性。本发明为配电网规划、运行和改造以及电力公司的营运效益提供新的分析方法和辅助决策理论依据,优化电网配制的技术,获得经济性最优的规划方案。

    一种碳化硅外延材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN104465721A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410737773.8

    申请日:2014-12-05

    IPC分类号: H01L29/06 H01L21/205

    摘要: 本发明提供了一种碳化硅外延材料。所述碳化硅外延材料包括:N+碳化硅单晶衬底层,位于衬底下面的P+支撑层和位于衬底表面的N-漂移层,其制备方法包括以下步骤:1、N+型衬底的准备;2、对N+型衬底的背面化学机械抛光;3、在背面进行P+支撑层的生长;4、N+型衬底正面的减薄;5、正面化学机械抛光;6、在正面进行N-型漂移层的生长。相对于传统碳化硅外延材料而言,采用本发明提供的外延材料P+支撑层电阻率低并且均匀性高,满足高压器件的需求。同时,该外延材料缺陷少,制作方法简单,工艺重复性好,适合工业化生产。

    周跳检测方法、装置、电子设备及可读储存介质

    公开(公告)号:CN113514856B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202110388651.2

    申请日:2021-04-12

    IPC分类号: G01S19/23 G01S19/29 G01S19/37

    摘要: 本发明提供了一种周跳检测方法、装置、电子设备及可读储存介质,其中,周跳检测方法,包括:获取目标历元的初始观测值,所述初始观测值包括N个第一卫星中每一所述第一卫星对应的位置参数与残差,N为大于1的整数;依据所述初始观测值,从所述N个第一卫星中确定出第二卫星,所述第二卫星为初始判定存在周跳的第一卫星;依据每一所述第二卫星对应的频点的数量,确定M个循环,M为大于1的整数;在所述M个循环中,依据所述第二卫星的数量、以及与所述第二卫星对应的位置参数与残差,检测所述初始观测值是否存在周跳。本发明能够有效降低周跳的虚(56)对比文件张晶宇.GNSS整数模糊度估计与检验的理论和方法研究《.中国博士学位论文全文数据库 基础科学辑》.2019,1-202.白伟华 等 .星载双频GPS载波相位周跳的实时探测与修复《.数据采集与处理》.2008,593-599.Liu, T., Zhang, B., Yuan, Y., Li, Z.,Wang, N..Multi-GNSS triplefrequencydifferential code bias (DCB)determination with precise pointpositioning (PPP)《.J. Geod》.2019,765–784.Zhang Xiaohong & Li Xingxing《.GPSSolutions》.2011,315–327 .