一种掺杂稀土Eu3+的碲酸盐荧光玻璃材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108545931A

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201810411855.1

    申请日:2018-05-02

    摘要: 本发明公开了一种掺杂稀土Eu3+的碲酸盐荧光玻璃材料及其制备方法,由玻璃原料,荧光粉和稀土氧化物组成,所述玻璃原料由TeO2,H3BO3,ZnO,Al2O3和Na2CO3组成,所述荧光粉为YAG:Ce,所述稀土氧化物为Eu2O3,本发明通过优化玻璃原料的种类和组分,降低熔融温度,提高荧光玻璃透明度,改善荧光粉的发光效率,通过采用一步低温共烧结工艺,简化制备工艺,提高生产效率,降低生产成本,还通过掺杂Eu3+来提高荧光玻璃的光学性能,此外,采用本方法制备的荧光玻璃材料透明度高,熔点低,安全环保,发光均匀,易加工,发光效率高,导热性好,封装在蓝光芯片上得到白光,具有广阔的市场前景,有利于推广应用。

    一种制备单芯片超宽带白光LED的方法

    公开(公告)号:CN106784194A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710010262.X

    申请日:2017-01-06

    摘要: 本发明涉及一种制备单芯片超宽带白光LED的方法,采用飞秒激光器在蓝宝石衬底上分区域刻蚀出纳米尺寸的凹槽形成图形化纳米结构,每个区域刻蚀出具有不同深度的凹槽,然后在此结构上生长InGaN/GaN量子阱,不同区域LED 晶粒可发射出不同波长的光,这些光的复合产生白色光。单芯片LED,不需要在表面涂敷荧光粉,仅靠单芯片本身的发光就能实现白光发射;通过向量子阱中掺杂铟元素,可以制造出超宽带的LED;在不产生斯托克位移下发光效率会更高;在不需要荧光粉的转换条件下可以大大降低成本。推动无荧光粉单芯片超宽带白光LED 器件科学与技术的发展。