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公开(公告)号：CN114927585A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
发明人： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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公开(公告)号：CN114280770B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111436725.1
申请日：2021-11-29
摘要： 本发明提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法，涉及光学技术领域，设计方法包括：步骤S1，计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2，选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖‑180°到180°；步骤S3，将选出的不同尺寸的硅圆柱，根据离轴超透镜对应的相位调制函数，排布在硅基底上；步骤S4，在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列，其中的硅圆柱尺寸相同；由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。本发明设计出的全硅超透镜能够实现将入射的太赫兹光束在离轴方向上进行聚焦，克服现有离轴超透镜存在的加工复杂的问题，填补太赫兹波段全硅离轴超透镜研究的空白。
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公开(公告)号：CN114280770A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111436725.1
申请日：2021-11-29
摘要： 本发明提供一种太赫兹全硅离轴超透镜及其设计方法，涉及光学技术领域，设计方法包括：步骤S1，计算竖直偏振太赫兹光束入射时，不同尺寸硅圆柱的透射振幅和相移；步骤S2，选出多个不同尺寸且高透射振幅的硅圆柱，选出的硅圆柱的相移能够覆盖‑180°到180°；步骤S3，将选出的不同尺寸的硅圆柱，根据离轴超透镜对应的相位调制函数，排布在硅基底上；步骤S4，在硅基底的另一侧设计减反射的硅圆柱阵列，其中的硅圆柱尺寸相同；由硅基底及其两侧的硅圆柱阵列组成太赫兹全硅离轴超透镜。本发明设计出的全硅超透镜能够实现将入射的太赫兹光束在离轴方向上进行聚焦，克服现有离轴超透镜存在的加工复杂的问题，填补太赫兹波段全硅离轴超透镜研究的空白。
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公开(公告)号：CN116911122A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310848641.1
申请日：2023-07-11
IPC分类号： G06F30/23 , H01L31/107 , H01L31/18 , G06F111/10 , G06F119/08
摘要： 本发明提供了一种优化光电二极管光谱响应特性的方法及光电二极管，首先通过数值模拟及数据拟合得到光电二极管光谱响应优值因子随工作温度变化的曲线，进而根据所述曲线提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，并按照该温度对光电二极管的工作温度进行设置，则光电二极管的光谱响应特性将具有最优值。本发明的优点在于，可以针对不同材料组份及不同工艺条件得到的光电二极管提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，据此通过温控接口对工作温度进行设置的光电二极管可以平衡光谱响应峰值电流和光谱响应抑制比，由此获得最优的光谱响应特性，从而避免为了优化器件光谱响应特性进行反复测试，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本。
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公开(公告)号：CN114927585B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210387745.2
申请日：2022-04-14
发明人： 王兵兵 , 陈雨璐 , 崔慧源 , 周宏 , 吴翼飞 , 刘文辉 , 王洋刚 , 董祚汝 , 陈栋 , 童武林 , 秦世宏 , 周扬州 , 徐方俊鹏 , 杨绪起 , 戴小宛 , 汪泽文 , 张传胜 , 王晓东 , 曹俊诚
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/115 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
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