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公开(公告)号：CN110320758A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810293658.4
申请日：2018-03-30
申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法。其中，基底边缘保护装置包括底座，设置在底座工作侧边缘的抓取部件，用于抓取和固定基底边缘保护环，设置在底座工作侧翘曲处理机构，翘曲处理机构的工作面上有多个吹气孔，以及与吹气孔联连通的进气孔，通过吹气孔吹气以对基底进行整平。本发明实施例提供的基底边缘保护装置，在底座工作侧设置翘曲处理机构，通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体，将翘曲基底整平，使基底完全吸附在吸盘上，实现了对大翘曲量基底的整平，提高了基底曝光质量和良率；此外，基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该基底边缘保护装置实现，简化了曝光流程，从而提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN110320758B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810293658.4
申请日：2018-03-30
申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法。其中，基底边缘保护装置包括底座，设置在底座工作侧边缘的抓取部件，用于抓取和固定基底边缘保护环，设置在底座工作侧翘曲处理机构，翘曲处理机构的工作面上有多个吹气孔，以及与吹气孔连通的进气孔，通过吹气孔吹气以对基底进行整平。本发明实施例提供的基底边缘保护装置，在底座工作侧设置翘曲处理机构，通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体，将翘曲基底整平，使基底完全吸附在吸盘上，实现了对大翘曲量基底的整平，提高了基底曝光质量和良率；此外，基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该基底边缘保护装置实现，简化了曝光流程，从而提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN114967352A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110220311.9
申请日：2021-02-26
申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种防污装置，属于光刻技术领域。防污装置能够置于待光刻件与物镜之间，具体包括：防污本体，呈环形结构，防污本体具有沿第一方向间隔设置的第一侧和第二侧，且第一侧相对于第二侧更靠近待光刻件；防污本体的第一侧与待光刻件之间为间隙配合；透光件，防污本体的中心形成有中空的透光部，透光件封闭透光部，物镜的光通过透光件透射至待光刻件上；抽排组件，包括开设于防污本体的第一侧的多个抽风孔和设于防污本体内部的抽排通道，抽风孔与抽排通道相连通，待光刻件周围的污染物依次经由抽风孔和抽排通道被抽至外界。本发明的防污装置能够有效隔离镜片与待光刻件，同时进行污染物的抽离，提升防污效果。
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公开(公告)号：CN105988298B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510052406.9
申请日：2015-02-02
申请人： 上海微电子装备(集团)股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种硅片边缘保护装置及保护方法，该装置包括：安装板、固定在所述安装板上的升降装置和设置在所述升降装置顶部的硅片保护环，其中，所述升降装置包括：固定在所述安装板上的直线运动台、与所述直线运动台活动端固接的滑块以及与所述滑块连接的连接杆，所述连接杆的顶部与所述硅片保护环连接。本发明通过在硅片曝光时对其边缘进行保护，即负胶曝光和边缘保护同时进行，不需要经过二道工序对硅片边缘进行处理；本发明的升降装置采用直线运动台来驱动，结构简单，动作可靠、平稳，成本低廉；本发明集成于硅片运动台上，精度高。
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