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公开(公告)号：CN103019035B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110282348.0
申请日：2011-09-22
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开一种具有掩模交接保护功能的掩模台，设置在一基台上，包括：运动台，承载掩模；驱动机构，驱动运动台相对基台运动；一掩模交接保护模块，包括固定在基台上的固定装置以及固定连接承片台的定位装置，所述固定装置设有一可动的锁紧部，该锁紧部连接所述定位装置时固定所述承片台。本发明同时公开一种使用该具有交接保护功能的掩模台的方法及一种光刻设备。
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公开(公告)号：CN103034064B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110298961.1
申请日：2011-09-29
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明提出一种光刻机基板预对准装置，包括：预对准台，安装在一旋转台上，对玻璃基板的位置进行预对准；多个支撑元件，支撑玻璃基板；以及四组夹紧定位组件，位于预对准台的四周，对玻璃基板进行定位。本发明的基板预对准装置可同时用于基板预对准、方向检测和方向调整，同时可以满足空间较为紧张和降低成本的需求，从而提高整个基板传输系统的效率。
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公开(公告)号：CN103376664A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210118780.0
申请日：2012-04-20
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种具有工位切换功能的掩模台，包括：承版台、气浮板、工位切换机构、气浮结构、水平向微调机构和垂向调节机构，所述承版台通过气浮结构固定于气浮板上方，用于承载具有一个或多个图形的掩模版，所述工位切换机构用于驱动承版台移动将掩模版上的图形切换到不同工位；所述水平向微调机构用于驱动气浮板在水平方向移动以实现掩模版水平方向的微调；所述垂向调节机构用于调节掩模版的垂向高度。本发明通过对承版台气浮结构真空、正压的切换以及承版台和导轨之间的柔性解耦机构的垂向解耦作用，解决了工位切换机构在垂向的精度耦合问题，不仅降低了工位切换机构的装配难度，而且提高了切换前后掩模图形区高度位置精度。
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公开(公告)号：CN103034064A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110298961.1
申请日：2011-09-29
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明提出一种光刻机基板预对准装置，包括：预对准台，安装在一旋转台上，对玻璃基板的位置进行预对准；多个支撑元件，支撑玻璃基板；以及四组夹紧定位组件，位于预对准台的四周，对玻璃基板进行定位。本发明的基板预对准装置可同时用于基板预对准、方向检测和方向调整，同时可以满足空间较为紧张和降低成本的需求，从而提高整个基板传输系统的效率。
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公开(公告)号：CN103904011B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210586817.2
申请日：2012-12-28
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6838 , G03F7/707 , G03F7/70783 , H01L21/67288 , Y10T29/413 , Y10T279/11
摘要： 本发明涉及一种翘曲硅片吸附装置及其吸附方法，该装置包括吸盘和至少三个吸头组件，所述吸头组件分布于所述吸盘上，所述吸头组件包括吸嘴、球头、气缸以及位置传感器，所述吸嘴与所述气缸通过所述球头活动连接，并在所述气缸的作用下相对吸盘表面作升降运动，所述位置传感器设于所述气缸中。本发明在吸盘上增加至少三个吸头组件，当翘曲硅片无法被所述吸盘吸附时，所述吸头组件通过吸嘴以及气缸对所述翘曲硅片进行吸附并进行拉伸，直至所述翘曲硅片的下表面与所述吸盘的上表面贴合，从而完成对翘曲硅片的吸附。
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公开(公告)号：CN103034047B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110299002.1
申请日：2011-09-29
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 一种提高分辨率的光刻工艺，包括：于一基底表面设置硬掩模层（hardmask），所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面；在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern）；垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上；去除所述光刻胶；以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。本光刻工艺可以在光源等技术参数不变的情况下提高光刻机的分辨率。
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公开(公告)号：CN103904011A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210586817.2
申请日：2012-12-28
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6838 , G03F7/707 , G03F7/70783 , H01L21/67288 , Y10T29/413 , Y10T279/11
摘要： 本发明涉及一种翘曲硅片吸附装置及其吸附方法，该装置包括吸盘和至少三个吸头组件，所述吸头组件分布于所述吸盘上，所述吸头组件包括吸嘴、球头、气缸以及位置传感器，所述吸嘴与所述气缸通过所述球头活动连接，并在所述气缸的作用下相对吸盘表面作升降运动，所述位置传感器设于所述气缸中。本发明在吸盘上增加至少三个吸头组件，当翘曲硅片无法被所述吸盘吸附时，所述吸头组件通过吸嘴以及气缸对所述翘曲硅片进行吸附并进行拉伸，直至所述翘曲硅片的下表面与所述吸盘的上表面贴合，从而完成对翘曲硅片的吸附。
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公开(公告)号：CN103034047A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110299002.1
申请日：2011-09-29
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 一种提高分辨率的光刻工艺，包括：于一基底表面设置硬掩模层（hardmask），所述硬掩模层具有与所述基底表面接触的第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述第二表面包括至少一个楔形面；在所述楔形面涂覆一层光刻胶，并于所述光刻胶中形成一图形(pattern）；垂直于所述基底方向进行第一干法刻蚀，移除部分的硬掩模层，将所述图形转换到所述硬掩膜层上；去除所述光刻胶；以及垂直于所述基底方向进行第二干法刻蚀，移除部分的基底，将所述硬掩模层上的图形转换到所述基底上。本光刻工艺可以在光源等技术参数不变的情况下提高光刻机的分辨率。
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公开(公告)号：CN103033127A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110299866.3
申请日：2011-10-09
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 一种基板预对准位姿测量方法，包括对输入图像进行差分并排除负边缘点，获得差分图像；对差分图像二值化并投影，采用非最大值抑制确定基板两边分别的基板边缘在图像中的可能位置；在其附近对差分图像进行搜索，将差分极值点作为基板边缘候选点；根据基板边缘的平直特性，剔除基板边缘候选点中的噪声，获得两边的基板边缘点；判断基板边缘点是否满足亮度一致性的要求，如果满足则进入步骤6，如果不满足，则跳转到下一个基板边缘在图像中的可能位置，返回步骤3；利用基板两边垂直，根据基板边缘点拟合出基板两边的直线方程参数后计算出基板的位置，单独拟合出基板其中一边的直线方程参数后计算出基板的姿态。
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