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公开(公告)号：CN103926807A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310010178.X
申请日：2013-01-11
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开一种硅片对准方法，包括：步骤1、输入精对准坐标点在硅片上的位置以及精对准流程工件台运动的上下坐标；步骤2、将精对准流程的上一个工位和下一个工位之间的距离作为零距离的约束函数,或者将先找到精对准流程的上一个工位和下一个工位之间的最近邻居点，并把它们相互连接起来作为约束函数，然后采用旅行商算法优化，当满足约束条件时增加一惩罚函数作为权重；步骤3、利用搜索算法进行问题求解；步骤4、输出求解结果。
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公开(公告)号：CN103529650A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210222725.6
申请日：2012-07-02
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 一种高度测量装置及其测量方法，光源产生线偏振光，经过偏振分光器分为第一偏振光和第二偏振光；第二偏振光倾斜入射到被测物体表面形成偏振反射光，第一偏振光、偏振反射光分别通过第一、二四分之一波片入射到第一、二反射镜并沿原路返回，经过偏振分光器分别形成第一偏振出射光、第二偏振出射光；偏振反射光先后通过第一分束器和第二分束器分别形成第一光斑和第二光斑，根据第一光斑和第二光斑的位置信息计算被测物体表面的倾斜量；光束接收器接收第一偏振出射光和第二偏振出射光，获得被测物体运动产生的光程差；根据光程差计算出被测物体高度。本发明测量精度高，对硅片工艺衬底适应性强可用于表面形貌高低起伏变化的表面高度测量。
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公开(公告)号：CN103365125A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210104002.6
申请日：2012-04-11
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开一种工艺基底边缘场的调平方法，本发明首先将工艺图像的形状测量出来，在曝光时首先将特征图像的测量值补偿掉，然后再利用前馈调平法进行边缘场曝光本发明中使用的前馈调平不要求参考场或参考区域必须都在基底上，参考场也可以部分在基底上部分在基底外。通过本发明的技术方案，当对具有特殊工艺的基底的边缘场进行调平时，即使调焦调平光斑的测量值与工艺图形形状相关，也能获得很好的调平效果，从而使得边缘场获得很好的曝光效果。
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公开(公告)号：CN102200690A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010131941.0
申请日：2010-03-25
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 一种光刻机投影物镜像面在线测量标记及利用该标记的测量方法。所述标记由周期分布的子标记组成，所述子标记中包括多种不同的线条标记。所述方法在预期的最佳像面附近，在不同的高度上扫描标记的空间像，记录空间像能量分布，根据能量分步计算测量标记在不同测量高度处的空间像的频率分布，根据频率分布计算视场中不同位置的最佳成像高度，最后根据最佳成像高度拟合像面高度、倾斜、场曲等参数。
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公开(公告)号：CN101169594B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710170916.1
申请日：2007-11-23
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种光刻机成像质量测量方法，包含以下步骤：在光刻机n个离焦量下将掩模上均匀分布的DFOCAL标记图案曝光到硅片上，形成n个曝光场；利用对准系统对n个曝光场进行等间隔抽样测量，得到n/m个场内各标记对准位置；利用标记成像水平位置的偏差与硅片离焦量之间的变化规律计算曝光场内各个DFOCAL标记点的最佳焦点大致位置；测量距离曝光场内各个DFOCAL标记点最佳焦点大致位置最近的n/m个场内对应的DFOCAL标记对准位置；精确拟合出每个DFOCAL标记点的最佳焦点位置；计算轴向像质参数。本发明方法利用DFOCAL标记能对用于评价光刻机成像质量的轴向像质参数进行高精度、大范围、快速的测量。
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公开(公告)号：CN103472677B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210189343.8
申请日：2012-06-08
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明提出了一种基板垂向光电检测装置及方法，所述装置包括：用于产生入射到所述待测基板上的投影光束的激光源，在所述投影光束于待测基板上的反射光方向依次设置有检测光栅、第一透镜、楔形棱镜组、参考光栅及检测模块，所述投影光束的反射光经过检测光栅产生衍射，该各级次的衍射光由第一透镜收集进而由对应设置的楔形棱镜组分离，分离后经过对应设置的所述参考光栅再度产生衍射，再分别由对应设置的检测模块的接收以检测各级次的衍射光的光强。本发明基板垂向光电检测装置及方法提高了检测精度，且结构较简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN103365125B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210104002.6
申请日：2012-04-11
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明公开一种工艺基底边缘场的调平方法，本发明首先将工艺图像的形状测量出来，在曝光时首先将特征图像的测量值补偿掉，然后再利用前馈调平法进行边缘场曝光本发明中使用的前馈调平不要求参考场或参考区域必须都在基底上，参考场也可以部分在基底上部分在基底外。通过本发明的技术方案，当对具有特殊工艺的基底的边缘场进行调平时，即使调焦调平光斑的测量值与工艺图形形状相关，也能获得很好的调平效果，从而使得边缘场获得很好的曝光效果。
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公开(公告)号：CN103246169B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210024750.3
申请日：2012-02-03
申请人： 上海微电子装备有限公司
摘要： 本发明提出一种焦面变化测量方法与装置，测量方法包括以下步骤：进入参考状态，标定参考曝光焦面的位置；更新基石相对所述参考曝光焦面的倾斜；进行参考掩模对准，获得参考对准焦面变化量，计算参考对准焦面位置；工件台基准板垂向运动到参考位置，调焦调平传感器测量所述工件台基准板上参考调平点的高度及倾斜值；启动曝光流程，在基底全局调平之前，计算所述调焦调平传感器零平面的漂移量；进行实际掩模对准，计算实际对准焦面变化量，获得实际曝光焦面的位置，从而保证曝光时基底始终位于最佳焦面。
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公开(公告)号：CN103309167A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210062953.1
申请日：2012-03-09
申请人： 上海微电子装备有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种运动台定位精度的测量系统及测量方法，所述测量系统包括：运动台控制系统，用于驱动运动台按照一设定路线步进或扫描；第一位置测量系统，用于实时测量运动台的当前位置并反馈至运动台控制系统，从而由运动台控制系统根据所述当前位置驱动运动台步进或扫描至一设定位置；第二位置测量系统，用于当运动台控制系统驱动运动台每次经过所述设定位置时，分别测量运动台位于所述设定位置时的实际位置，计算每次实际位置之间的偏差并与运动台精度指标比较，从而判断运动台定位精度是否达标。所述测量方法可离线测量运动台的定位精度，无需依赖于光刻机其它部件，在光刻机集成中可提前诊断运动台定位问题。
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