一种基于Ni-cRIO的雷达信号同步自动化采集系统及方法

    公开(公告)号:CN115993577A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211349024.9

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于NI‑cRIO的雷达信号同步自动化采集系统及方法,通过网络接口将控制坐标点位的运动转台、控制信号形式的脉冲同步雷达模拟源、控制信号极化的可程控旋转关节以及同步的核心部件NI‑cRIO模块统一在局域网络中,通过总控计算机实现对上述任意分系统的远程控制,通过系统级同步极大的提升了空间系统采集的稳定性。

    一种碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法

    公开(公告)号:CN105935845B

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201610401902.5

    申请日:2016-06-08

    Inventor: 陈思 沈艳 王帅

    Abstract: 本发明公开了一种碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法,该焊料按重量百分比计包含碲化铋纳米颗粒0.5~1%、锡银铜微米粉末80~90%以及助焊剂10~20%。碲化铋纳米颗粒的平均粒径为20nm,碲元素与铋元素的原子比为3:2。锡银铜微米粉末的平均粒径为30μm锡元素、银元素与铜元素的重量百分比为96.5%:3.0%:0.5%。助焊剂为松香助焊剂。本发明还提供了该碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料的使用方法。本发明提供的本发明提供的碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法,通过选用合适的纳米颗粒材料解决了纳米颗粒强化的锡银铜焊料所面临的纳米颗粒流失、纳米颗粒粗化以及纳米颗粒与锡银铜焊料界面的问题。

    一种适用于纳米复合焊料的真空焊接方法

    公开(公告)号:CN106378508A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201611041707.2

    申请日:2016-11-22

    Inventor: 陈思 沈艳 王帅

    CPC classification number: B23K1/19 B23K1/00

    Abstract: 本发明公开一种适用于纳米复合焊料的真空焊接方法,该焊接方法包含:在助焊剂中的溶剂开始挥发阶段进行第一阶段抽真空,从焊膏中排出挥发的溶剂;在合金粉末熔化阶段进行第二阶段抽真空,进一步排出熔融焊料中的气体和助焊剂。本发明针对纳米复合焊料中纳米颗粒轻小易流失问题,采用了两阶段抽真空焊接方法,可防止熔融焊料在抽真空过程中飞溅,从而减少纳米颗粒的流失,同时本发明提供的真空环境可促进焊接过程中助焊剂的排出,减小焊点孔隙率。

    一种碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法

    公开(公告)号:CN105935845A

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201610401902.5

    申请日:2016-06-08

    Inventor: 陈思 沈艳 王帅

    CPC classification number: B23K35/262 B23K35/3601

    Abstract: 本发明公开了一种碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法,该焊料按重量百分比计包含碲化铋纳米颗粒0.5~1%、锡银铜微米粉末80~90%以及助焊剂10~20%。碲化铋纳米颗粒的平均粒径为20nm,碲元素与铋元素的原子比为3:2。锡银铜微米粉末的平均粒径为30μm锡元素、银元素与铜元素的重量百分比为96.5%:3.0%:0.5%。助焊剂为松香助焊剂。本发明还提供了该碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料的使用方法。本发明提供的本发明提供的碲化铋纳米颗粒强化锡银铜焊料及其使用方法,通过选用合适的纳米颗粒材料解决了纳米颗粒强化的锡银铜焊料所面临的纳米颗粒流失、纳米颗粒粗化以及纳米颗粒与锡银铜焊料界面的问题。

    一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法

    公开(公告)号:CN108091582B

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201711228782.4

    申请日:2017-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种高功率密度复杂组合体系微波组件的装配方法,其包含以下步骤:步骤1:将大功率芯片通过纳米银浆烧结在载体上以形成载体模块,烧结温度为T1;步骤2:将基板与电连接器焊接在盒体上,焊接温度为T2;步骤3:将表面贴装器件焊接在基板上,焊接温度为T3;步骤4:将载体模块中的载体通过纳米银浆烧结在盒体上,烧结温度为T4;步骤5:将其余芯片通过导电胶粘结在基板上,固化温度为T5。本发明所提供的装配方法可以有效确保所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险;大功率芯片与载体、载体模块与盒体的装配均采用纳米银浆烧结,能够显著改善功率芯片的散热问题;使用纳米银浆作为互连材料,其可装配性及操作性均比钎焊焊料优越。

    一种基于有效重构协方差矩阵的波束形成方法

    公开(公告)号:CN109639333A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811480843.0

    申请日:2018-12-05

    CPC classification number: H04B7/086

    Abstract: 本发明公开了一种基于有效重建协方差矩阵的稳健自适应波束形成方法。该方法通过引入判断因子作为算法是否重构协方差矩阵的标准,首先利用功率谱估计算法来估计期望信号角度方向,把期望信号角度能否被估计出来作为协方差矩阵重建的标准,然后分别构建不同信噪比情况下的协方差矩阵,即在低信噪比下无需重构协方差矩阵,在高信噪比下采用协方差矩阵重构方法,最终求取阵列权值矢量,最终达到保证波束形成器输出性能的同时降低其计算复杂度。本发明在高信噪比情况下仍具有较好的输出性能。本发明增加了一个阈值判断过程,利用期望信号能够被估计出来作为临界条件,能够很好地平衡复杂度与输出性能之间的关系。

    一种适用于纳米复合焊料的真空焊接方法

    公开(公告)号:CN106378508B

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201611041707.2

    申请日:2016-11-22

    Inventor: 陈思 沈艳 王帅

    Abstract: 本发明公开一种适用于纳米复合焊料的真空焊接方法,该焊接方法包含:在助焊剂中的溶剂开始挥发阶段进行第一阶段抽真空,从焊膏中排出挥发的溶剂;在合金粉末熔化阶段进行第二阶段抽真空,进一步排出熔融焊料中的气体和助焊剂。本发明针对纳米复合焊料中纳米颗粒轻小易流失问题,采用了两阶段抽真空焊接方法,可防止熔融焊料在抽真空过程中飞溅,从而减少纳米颗粒的流失,同时本发明提供的真空环境可促进焊接过程中助焊剂的排出,减小焊点孔隙率。

    一种复合粒径纳米银膏的制备方法

    公开(公告)号:CN106493389A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201611064668.8

    申请日:2016-11-28

    CPC classification number: B22F9/24 B22F1/0018

    Abstract: 本发明公开了一种复合粒径纳米银膏的制备方法,包含:步骤1,采用二水合柠檬酸钠与七水合硫酸亚铁还原硝酸银,离心分离,将纳米银颗粒于超纯水中分散,加入二水合柠檬酸钠絮凝,再次离心分离,重复超过3次分散、絮凝再离心分离步骤,得到第一尺寸纳米银颗粒;步骤2,采用二水合柠檬酸钠还原硝酸银;采用二水合柠檬酸钠溶液絮凝;离心分离获得第二尺寸纳米银颗粒;步骤3,将第一尺寸与第二尺寸纳米银颗粒以质量比2:1~5:1混合、分散在超纯水中;加入二水合柠檬酸钠溶液絮凝;离心分离获得复合粒径纳米银膏。本发明提供的复合粒径纳米银膏的热导率大幅提高,且改善了纳米银膏低温烧结互连条件下获得的互连接头高温服役过程中尺寸不稳定的情况。

    一种基于有效重构协方差矩阵的波束形成方法

    公开(公告)号:CN109639333B

    公开(公告)日:2021-12-24

    申请号:CN201811480843.0

    申请日:2018-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种基于有效重建协方差矩阵的稳健自适应波束形成方法。该方法通过引入判断因子作为算法是否重构协方差矩阵的标准,首先利用功率谱估计算法来估计期望信号角度方向,把期望信号角度能否被估计出来作为协方差矩阵重建的标准,然后分别构建不同信噪比情况下的协方差矩阵,即在低信噪比下无需重构协方差矩阵,在高信噪比下采用协方差矩阵重构方法,最终求取阵列权值矢量,最终达到保证波束形成器输出性能的同时降低其计算复杂度。本发明在高信噪比情况下仍具有较好的输出性能。本发明增加了一个阈值判断过程,利用期望信号能够被估计出来作为临界条件,能够很好地平衡复杂度与输出性能之间的关系。

    一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法

    公开(公告)号:CN111384601A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN202010201666.9

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 本发明公开了一种高集成度TR组件的焊接装配互连方法,该方法包含:将电连接器和绝缘子以温度A℃±10℃焊接在TR组件盒体上;将电阻电容以温度B℃±10℃焊接在印制板上,其中,A℃≥B℃+20℃;将微带板和带有电容电阻的印制板以温度C℃±10℃焊接在TR组件盒体上,其中,B℃≥C℃+20℃;将带有芯片的钼铜垫片载体以温度D℃±10℃焊接在TR组件盒体上,其中,C℃≥D℃+20℃;对TR组件盒体气密性封装,将盖板焊接在TR组件盒体的顶部。其优点是:该方法采用多温度梯度装配的方式,使相邻温度梯度的焊接装配温度相差至少20℃,确保了所有温度的烧焊面及焊点不存在重熔风险,避免了在装配过程中出现焊接重熔现象,提高了TR组件整体焊接装配的可靠性。

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