-
公开(公告)号：CN117971111A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211317677.9
申请日：2022-10-26
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本发明公开了一种存储设备中坏块的筛选方法、装置、介质和计算设备，包括对存储平面中的待筛选存储子平面进行擦除和编程操作，得到编程后的第一存储子平面；对存储平面中的另一存储子平面进行多次擦除操作，直至对待筛选存储子平面的擦除次数与对另一存储子平面的擦除次数之和达到预设的阈值门限，得到擦除后的第二存储子平面；对第二存储子平面中的每一擦除单位进行擦除操作，并对第一存储子平面中的每一擦除单位进行读操作，得到所述第一存储子平面中的各个擦除单位对应的第一差错比特数据；其中，一个所述擦除单位对应一个第一差错比特数据；将数据量最大的所述第一差错比特数据对应的擦除单位确定为坏块。本发明能够提升存储设备的可靠性。
-
公开(公告)号：CN118363785A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310074398.2
申请日：2023-01-18
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种数据读取方法以及存储设备。所述数据读取方法包括：响应于对存储器的硬解码失败，基于基准电压对存储器进行第一次软解码；响应于上一次软解码失败，基于上一次软解码的LLR数据对基准电压进行调整，得到当前的基准电压；基于当前的基准电压对存储器进行本次软解码，直至满足预设条件。上述方案，可提高软解码的解码成功率，减少数据读取的时间消耗，提高产品读性能。
-
公开(公告)号：CN117931048A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211259396.2
申请日：2022-10-14
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请提供一种NAND Flash中块的擦除方法、装置、设备、介质，应用于半导体存储技术领域，包括：步骤1：获取NANDFlash中块的连续擦除次数；步骤2：根据连续擦除次数和次数阈值，对块进行擦除处理。与现有技术相比，当对NANDFlash进行连续擦除时，根据连续擦除次数和次数阈值，对块进行擦除处理，通过连续擦除次数和次数阈值确定块的擦除处理，可以避免由于块的连续擦除次数较多，造成块的磨损程度太大，使块的存储数据的可靠性降低的问题，提高块的数据存储的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117555474A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210933509.6
申请日：2022-08-04
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
发明人： 孔维镇
摘要： 本申请公开了一种用于存储设备的数据处理方法和相关设备、存储介质。在该方法中，所述存储设备包括至少一页，每页用于存储n个第一LDPC码字，每个所述第一LDPC码字包括第一用户数据和LDPC校验数据，所述方法包括：执行数据写入操作，以使得每页存储m个第二LDPC码字，每个所述第二LDPC码字包括第二用户数据和所述LDPC校验数据；其中，m和n为正整数，且m大于n，所述第二用户数据的长度小于所述第一用户数据的长度。本申请还公开了相关设备、存储介质。本申请利用主控固定码率的LDPC码，通过在读写通路上填充/删减预设模型数据，变相增大LDPC校验数据所占空间的比例，以降低LDPC码率，达到提升LDPC码的纠错能力的效果。
-
公开(公告)号：CN118782130A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310366065.7
申请日：2023-04-04
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
摘要： 本申请提供一种存储设备数据的读恢复方法、相关设备及存储介质，存储设备数据的读恢复方法包括：采用至少一个电压档位中每个电压档位，通过BCH码对第一数据进行解码，以得到每个电压档位对应的解码成功所返回的第一信息，并通过LDPC码对第二数据进行解码，以得到每个电压档位对应的解码失败所得到的第二信息；依据第一信息和第二信息，从至少一个电压档位中确定目标档位；采用目标档位，对存储设备数据进行软解码，以实现数据读恢复；本申请中的方案，基于第一信息和第二信息确定目标档位，进而采用目标档位对存储设备数据进行软解码，有效提高软解码的纠错能力，提升读恢复流程的效率，降低读恢复流程的时延，提高产品性能。
-
公开(公告)号：CN117558332A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210935937.2
申请日：2022-08-04
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
发明人： 孔维镇
摘要： 本申请公开了一种数据恢复方法及相关数据读取方法和电子设备、存储介质。在该方法中，存储设备包括至少一页，每页存储至少一个系统数据和至少一个用户数据，方法包括：响应于使用至少一个读电压读取每页时至少一个用户数据的硬译码均失败，触发至少一个用户数据的软译码；根据至少一个系统数据的解码结果信息，自至少一个读电压，确定用于至少一个用户数据的软译码的基准读电压；使用基准读电压，执行至少一个用户数据的软译码，以恢复至少一个用户数据。本申请还公开了相关数据读取方法和电子设备、存储介质。本申请根据系统数据的解码结果信息，确定软译码的基准读电压，以提升LDPC软译码的成功率，从而提升存储设备的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN118631262A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310232373.0
申请日：2023-03-10
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
IPC分类号： H03M13/11
摘要： 本申请公开了一种解码方法、装置、存储芯片及计算机可读存储介质。所述解码方法包括：利用第一解码方式对待解码数据进行解码；当利用所述第一解码方式解码失败时，获取目标LDPC矩阵初始输入数据的伴随式重量信息；根据所述目标LDPC矩阵初始输入数据的伴随式重量信息，确定是否利用第二解码方式对所述待解码数据进行解码。上述方案，可以提升LDPC解码的效率。
-
公开(公告)号：CN118057288A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202211450910.0
申请日：2022-11-18
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请提供一种闪存块监控方法、装置及相关设备，其中，所述方法包括：获取监控闪存块的读次数，其中，所述监控闪存块为存储设备包括的多个闪存块中的任一闪存块；在所述监控闪存块的读次数大于或等于次数阈值的情况下，对所述监控闪存块内存储的数据进行数据搬移。在本申请实施例中，通过监控存储设备的闪存块的读次数，并在所监控闪存块的读次数大于或等于次数阈值的情况下，对监控闪存块内存储的数据进行数据搬移，以降低闪存块在使用时的数据丢失风险，提升NAND Flash闪存块在使用时的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117931049A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211261798.6
申请日：2022-10-14
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本申请提供一种NAND Flash中块的处理方法、装置、设备、介质，应用于半导体存储技术领域，NAND Flash中块的处理方法，包括：步骤1：根据NANDFlash中每个块的错误比特数量，对每个块进行标记；步骤2：根据标记结果对每个块进行处理。在NANDFlash的寿命初期根据每个块的错误比特数量对每个快进行标记，并根据标记结果对每个块进行处理，可以在寿命初期标记出错误比特数量异常的块，并对标记出的块进行处理，可以避免错误比特数量较多时，固件的纠错机制失效的风险，增加数据的可靠性。
-
公开(公告)号：CN117809728A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211167714.2
申请日：2022-09-23
申请人： 上海江波龙数字技术有限公司
摘要： 本申请提供一种NAND闪存中优化LDPC纠错能力的方法、装置、设备、介质，应用于半导体存储技术领域，方法包括：步骤1：通过逻辑加速引擎，获取NAND闪存中的阈值电压信息；步骤2：根据阈值电压信息优化LDPC的纠错能力。利用NAND Flash主控的逻辑加速引擎，来获取NAND的本征Vth信息，用来计算最优读阈值电压，降低重读比例，提升产品的读相应速度，并且匹配LDPC Soft Decode提高读恢复流程的成功率，获取高可靠性的数据存储，来满足产品可靠性需求。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.042 秒)
