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公开(公告)号：CN102879971A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210403678.5
申请日：2012-10-22
申请人： 上海理工大学
摘要： 本发明涉及一种连续调节太赫兹波中心频率和频谱宽度的方法，采用偏振门方法，以一束超快激光脉冲通过可移动的双折射晶体斜劈对和零阶1/4波片，产生偏振特殊的新光场。新光场再通过起偏器，便得到一个具有线偏振的窄脉冲宽度的激光脉冲。通过控制双折射晶体斜劈对的插入量来得到不同宽度的激光脉冲，从而实现调节太赫兹波中心频率和频谱宽度的功能。装置简单，容易操作，只需要把双折射晶体斜劈对的两块晶体同时向相反方向移动相同的距离，就可实现新激光脉冲宽度的改变，从而调整太赫兹波的中心频率和频谱宽度；该方法对于各种脉冲宽度和波长的光源都是适用的。
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公开(公告)号：CN102361039B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201110338693.1
申请日：2011-10-31
申请人： 上海理工大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种基于透明导电层的黑硅太阳能电池的制备方法，结构层自下而上依次为：银抗氧化层、铝导电层、P型硅层、黑硅吸收层和ITO透明导电层，其中铝导电层为太阳能电池的正极，ITO透明导电层为太阳能电池的负极。制备方法：先对对P型硅层清洗；采用直流溅射法在P型硅层的一面制备铝导电层；采用离子束溅射的方法，在铝导电层下方制备银抗氧化层；将制成的样品置于密封腔内，在P型硅层未镀膜的一面用飞秒激光器加工出黑硅吸收层；再将样品置于管式气氛炉中进行退火；最后在黑硅吸收层上方采用离子束溅射方法制备ITO透明导电层。本发明可有效减少黑硅吸收层表面能量转移损耗，大幅提升黑硅太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN102134737A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110108203.9
申请日：2011-04-28
申请人： 上海理工大学
摘要： 一种多孔硅的制备方法，首先把硅片装配在电解槽中，再把电解液加入电解槽内，并把金属铂插入电解液中做阴极，其特点是：将电解槽置于超声波发生器中，其中超声波发生器内的导电液体作为阳极；用脉冲电流源连接阳极和阴极，打开脉冲电流源和超声波发生器，进行电化学腐蚀反应，即得多孔硅片。当电解槽放入超声波发生器内，所述硅片的裸露面浸没在超声波发生器内的导电液体里。超声波发生器内的导电液体为水或氯化钠溶液。本发明通过将电解槽置于有水的超声波发生器中，不仅可以让水把超声波能量传递到硅片上，主动加快氢气和反应生成堆积物的扩散，还可以让水作为反应阳极，让硅片的反应部分的电场更加均匀，使硅孔分布均匀，界面平整，大大提高了腐蚀效率。
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公开(公告)号：CN102879971B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210403678.5
申请日：2012-10-22
申请人： 上海理工大学
摘要： 本发明涉及一种连续调节太赫兹波中心频率和频谱宽度的方法，采用偏振门方法，以一束超快激光脉冲通过可移动的双折射晶体斜劈对和零阶1/4波片，产生偏振特殊的新光场。新光场再通过起偏器，便得到一个具有线偏振的窄脉冲宽度的激光脉冲。通过控制双折射晶体斜劈对的插入量来得到不同宽度的激光脉冲，从而实现调节太赫兹波中心频率和频谱宽度的功能。装置简单，容易操作，只需要把双折射晶体斜劈对的两块晶体同时向相反方向移动相同的距离，就可实现新激光脉冲宽度的改变，从而调整太赫兹波的中心频率和频谱宽度；该方法对于各种脉冲宽度和波长的光源都是适用的。
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