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公开(公告)号：CN115902709A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211722464.4
申请日：2022-12-30
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海科技大学
IPC分类号： G01R31/66
摘要： 本发明涉及一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的电路层设计均为像素结构，所述第一芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第二芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第一芯片上的每个像素对应的焊点与所述第二芯片上每个像素对应的焊点导通，形成完整电路。本发明能够进行链路级电导通性测试。
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公开(公告)号：CN118763026A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411024640.6
申请日：2024-07-29
申请人： 上海科技大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明属于电子贴装技术领域，提供的一种晶圆级半导体器件贴片装置，适用于晶圆级规模、大尺寸芯片的高精度贴片，其操作流程包括开机、上料、吸料、取料、移入PCB板、粗对准、细对准、贴片和释放等步骤。通过分光棱镜和梯度显微镜联合使用，实现了大尺寸芯片模组与印刷线路板的高精度对准和贴装，确保芯片焊盘与印刷线路板焊盘之间的长程(≥10cm)、多焊盘(≥1500个)高精度对准，整体贴装精度≤10μm。同时，可根据器件贴片需要，施加一定的压力值。该设备不仅提高了操作的可重复性和可靠性，还解决了现有自动化贴片设备无法满足大尺寸芯片模组贴片需求、贴片精度低等问题。
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公开(公告)号：CN117690813A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310814717.9
申请日：2023-07-05
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海科技大学
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 本发明涉及一种用于大面阵芯片封装的铜柱凸点倒装焊方法，包括以下步骤：在上芯片表面通过常规铜柱凸点倒装焊的凸点制作方法制作带有铜柱及圆顶锡帽的上凸点；在下芯片表面与所述上凸点相对的位置制作带有铜柱及平顶锡帽的下凸点；在所述下芯片上方，将所述上芯片倒装，保证所述上凸点与下凸点对位并通过焊料焊接在一起。在使用本发明提供的铜柱凸点倒装焊方法后，切片检测焊点结构完整，铜柱间锡量完全填充。X射线检测芯片无明显偏移，焊点无明显孔洞，有效像元率达到99.95％。
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公开(公告)号：CN113625254B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110907629.4
申请日：2021-08-09
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G01S7/486 , G01S7/4912
摘要： 本发明涉及一种微小型激光雷达接收装置，包括球形基体，所述球形基体的表面设有微纳光电探测阵列，所述微纳光电探测阵列由若干均匀排列的微纳光电探测单元组成。本发明的激光雷达接收装置能够检测光的方向和距离，且运算复杂程度低，同时具有小尺寸、轻量化、易于集成、跨尺度测量的优势。
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公开(公告)号：CN105785508B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201410821688.X
申请日：2014-12-25
申请人： 南通新微研究院 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III‑V族光增益结构及与所述III‑V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本发明实现了III‑V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。
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公开(公告)号：CN112462469A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011479959.X
申请日：2020-12-15
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G02B6/125
摘要： 本发明涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪，包括输入Y分支波导和输出Y分支波导，所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同，所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连；所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连，所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连，所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连；所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同，并沿着第二直波导的中线对称。本发明能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。
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公开(公告)号：CN112255726A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011286995.4
申请日：2020-11-17
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明涉及一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构，包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，当激光照射到硅导线时硅导线与衬底之间发生近场耦效应，且距离激光光源较近的一根硅导线完全抑制，距离激光光源较远的另一根硅导线保持亮度。本发明能够对某个特定角度的激光信号进行精确探测以及沿特定方向上进行非接触信号传输。
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公开(公告)号：CN106646783A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710078304.3
申请日：2017-02-14
申请人： 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
CPC分类号： G02B6/4246 , G02B6/4204 , G02B6/43
摘要： 本发明提供一种硅基WDM光收发模块，所述硅基WDM光收发模块包括：硅光子芯片，包括调制器阵列和探测器阵列；以及基于平面光波导技术实现的波分复用器及解复用器，所述波分复用器与所述调制器阵列通过封装连接，所述解复用器与所述探测器阵列通过封装连接。本发明通过将硅光子芯片和基于平面光波导技术（PLC）实现的波分复用及解复用芯片封装在一起实现WDM光模块，从而避免硅基波分复用/解复用器在工艺上的困难；并且，针对传统基于分立器件和PLC技术的WDM光收发模块，集成度低，功耗高的缺点，本发明通过采用硅光子技术将调制器阵列和探测器阵列集成在一起，可以大大提高光收发模块的集成度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN105785507A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410829315.7
申请日：2014-12-26
申请人： 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： G02B6/126
摘要： 本发明提供一种偏振分束旋转器，所述偏振分束旋转器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和非对称Y分支波导；双刻蚀波导包括一端与所述单模输入波导尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，第一刻蚀区的高度大于第二刻蚀区的高度；非对称Y分支波导包括根波导、第一分支波导和第二分支波导，根波导与第一刻蚀区的尾端相连，第一Y分支波导的宽度大于第二Y分支波导的宽度。由于双刻蚀波导的模式转换和非对称Y分支波导的模式分配是宽带的，本发明提供的偏振分束旋转器中利用了这两个基本结构的宽带特性，解决传统偏振分束旋转器带宽较窄的缺点。
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公开(公告)号：CN103809238B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201210446936.8
申请日：2012-11-09
申请人： 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本发明提供一种亚波长Y分支波导及制备方法。首先，在含氧基底表面沉积硬掩膜；随后，在所述硬掩膜表面制作出Y型周期性光刻胶图形层；接着，以该Y型周期性光刻胶图形层为掩膜制备Y型周期性硬掩膜图形层；最后，以Y型周期性硬掩膜图形层为掩膜对所述含氧基底的顶层进行刻蚀来形成能传输亚波长波的Y型周期性柱体结构，本发明的亚波长Y分支波导结构紧凑，制备方法能与集成电路工艺兼容。
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