公开(公告)号：CN1327485C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN02815512.2

申请日：2002-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村和晃 ,  东条行雄 ,  P·斯波尔 ,  多胡研治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。

公开(公告)号：CN102732855A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210088598.5

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  东条行雄 ,  多胡研治 ,  西村和晃

IPC: C23C16/44

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法和薄膜形成装置，该薄膜形成装置的清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除被附着在装置内部的附着物，其中，该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序，在该清洗工序中，通过向被加热至规定的温度的反应室内供给含有氟素气体、氟化氢气体、氯气的清洁气体，去除上述附着物来清洗薄膜形成装置的内部。

公开(公告)号：CN1539159A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN02815512.2

申请日：2002-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 西村和晃 ,  东条行雄 ,  P·斯波尔 ,  多胡研治

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 热处理装置的洗净处理包括将反应室内加热到300℃的加热工序、和去除附着在热处理装置内部的氮化硅的洗净工序。在洗净工序中，将含有氟气和氯气及氮气的清洗气体供给加热到300℃的反应管内，去除氮化硅而洗净热处理装置的内部。