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发明公开
成膜装置和成膜方法审中-实审

公开(公告)号：CN113293360A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110096134.8

申请日：2021-01-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 , 石井亨 , 瀬下裕志 , 佐瀬雄一郎

IPC: C23C16/458 , C23C16/46

Abstract: 本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供能够形成高品质的半导体膜的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具有：旋转台，其设于真空容器内；载置台，其沿着所述旋转台的周向设置，用于载置基板；处理区域，在该处理区域，朝向所述旋转台的上表面供给处理气体；热处理区域，其沿着所述旋转台的周向与所述处理区域分离开地配置，在该热处理区域，以比所述处理区域的温度高的温度对所述基板进行热处理；以及冷却区域，其沿着所述旋转台的周向与所述热处理区域分离开地配置，在该冷却区域，冷却所述基板。

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