公开(公告)号：CN112420552A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010805541.7

申请日：2020-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂木卓 ,  熊谷隆 ,  小田岛章 ,  吉村启佑

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供一种基片处理系统。多个处理腔室并排地配置，并且分别能够实施基片处理。多个电源系统单元分别配置在多个处理腔室的下部，能够对各处理腔室单独地供电。本发明能够抑制设置面积。

公开(公告)号：CN112349620A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010735536.3

申请日：2020-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 茂木卓 ,  熊谷隆 ,  小田岛章

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基片处理系统，其包括第1腔室、第2腔室和冷却通路。第1腔室提供用于处理基片的空间，其中该基片是从被维持为真空气氛的第1输送室输送来的。第2腔室构成为内部能够与第1输送室和被维持为大气气氛的第2输送室连通。第2腔室具有与第1腔室大致相同的占地面积。第2腔室与第1腔室在上下方向上并排地配置在第1腔室之下。冷却通路配置在第1腔室与第2腔室之间。冷却通路在其内部流动冷却介质。根据本发明，能够抑制基片处理系统的占地面积。