基板处理装置、等离子体测定方法以及等离子体调节方法

    公开(公告)号:CN118156115A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202311614116.X

    申请日:2023-11-29

    Inventor: 石坪诚

    Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置、等离子体测定方法以及等离子体调节方法,根据高频电力的混合波来分析等离子体的状态。基板处理装置具备:气体供给机构,向处理容器的处理空间供给处理气体;金属制的喷淋头,将从气体供给机构供给的处理气体向处理空间放出;金属制的载置台,在处理空间与喷淋头一同构成平行平板电极;第一高频电源,向平行平板电极中的任一方供给用于在平行平板电极间形成处理气体的等离子体的第一高频电力;第二高频电源,对等离子体供给具有与第一高频电力不同的频率的第二高频电力;以及分析部,获取伴随等离子体的形成得到的第一与第二高频电力的混合波,基于测定该混合波的功率电平而得到的结果来分析等离子体的状态。

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