公开(公告)号：CN110578130B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201910440025.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  芹泽洋介 ,  出野由和 ,  芦泽宏明 ,  清水隆也 ,  村上诚志

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。

公开(公告)号：CN110578130A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910440025.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  芹泽洋介 ,  出野由和 ,  芦泽宏明 ,  清水隆也 ,  村上诚志

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。