公开(公告)号：CN110578130A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910440025.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  芹泽洋介 ,  出野由和 ,  芦泽宏明 ,  清水隆也 ,  村上诚志

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。

公开(公告)号：CN110578130B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201910440025.6

申请日：2019-05-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  芹泽洋介 ,  出野由和 ,  芦泽宏明 ,  清水隆也 ,  村上诚志

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明的课题是提供一种能够使用基于ALD的成膜方法在较低温度下成膜良好膜质的氮化膜的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法是在腔室内于基板上成膜为氮化膜的成膜方法，重复进行原料气体吸附工序和氮化工序，且供给肼系化合物气体作为氮化气体的一部分或者全部，其中，所述原料气体吸附工序包括向基板上供给构成氮化膜的包含金属元素的原料气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤；所述氮化工序包括向基板上供给氮化气体的步骤、及对残留气体进行吹扫的步骤。

公开(公告)号：CN107978541A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710969596.X

申请日：2017-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小田桐正弥 ,  桑田拓岳 ,  江原宽贵 ,  田部井幸宽 ,  高桥毅 ,  中村秀雄 ,  山崎和良 ,  出野由和

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45548 ,  C23C16/303 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明提供一种能够获得即使膜厚薄而膜中氯也少的良好的TiN膜的成膜装置和成膜方法。通过ALD法在晶片(W)上成膜TiN膜的成膜装置(100)，包括：收纳晶片W的腔室(1)；向腔室(1)内部供给由TiCl4气体形成的钛原料气体、由NH3气体形成的氮化气体和吹扫气体的气体供给机构(5)；对腔室(1)内进行排气的排气机构(42)；和控制部(6)，其控制气体供给机构(5)以使得向晶片(W)交替供给TiCl4气体和NH3气体，气体供给机构(5)具有加热NH3气体并使其状态变化的NH3气体加热单元(65)，向腔室(1)内供给由NH3气体加热单元(65)导致状态发生了变化的NH3气体。