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公开(公告)号：CN119631173A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380057065.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/768 , H01L21/18
Abstract: 本发明披露了用于形成半导体器件的设备和方法。该半导体器件可以包括多个半导体晶片。该多个半导体晶片可以具有设置在其上的电介质键合层。可以处理该电介质键合层以增加与其他半导体晶片的键合能。可以将对键合层施加过处理的晶片键合到另一个晶片。
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