公开(公告)号：CN112771647B

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN201980065213.3

申请日：2019-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 高桥伸明 ,  三浦仁嗣 ,  根石浩司 ,  片山竜二 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。

公开(公告)号：CN112771647A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980065213.3

申请日：2019-10-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 高桥伸明 ,  三浦仁嗣 ,  根石浩司 ,  片山竜二 ,  森勇介 ,  今西正幸

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

Abstract: 氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。

公开(公告)号：CN119340783A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410973040.8

申请日：2024-07-19

Applicant: 优志旺电机株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 深町俊彦 ,  上向井正裕 ,  片山竜二 ,  谷川智之

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/12 ,  F21K9/20 ,  G02F1/35 ,  F21Y115/30

Abstract: 提供能够以纵向单模获得高输出的半导体激光元件。在分布反馈型的半导体激光元件(100)中，层叠结构(110)包括GaN基板(112)、n型半导体层(120)、活性层(114)、p型半导体层(130)，形成有脊型波导。第一衍射光栅(150)与脊型波导邻接地形成于两旁。第一衍射光栅的槽的深度d包含在50nm≤d≤200nm的范围内，占空比duty包含在使用了对衍射光的次数规定的常数a、b、c、n的不等式(1)的范围内。【式1】#imgabs0#