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发明公开
用于控制阻变随机存取存储器器件中的形成电压的方法审中-实审

公开(公告)号：CN113795936A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080031776.3

申请日：2020-05-29

申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司

发明人： 史蒂文·孔西利奥 , 考利·瓦吉达 , 坎达巴拉·塔皮利 , 角村孝明 , 安藤隆 , 保罗·贾米森 , 爱德华·阿尔贝特·卡蒂埃 , 维贾伊·纳拉亚南 , 马里纳斯·J·P·霍普斯塔肯

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 一种用于控制阻变随机存取存储器(ReRAM)器件中的介电薄膜的形成电压的方法。该方法包括：在基板上沉积含有本征缺陷的介电薄膜，形成等离子体激发的含H2气的处理气体，以及将该介电薄膜暴露于该等离子体激发的处理气体中以在该介电薄膜中产生附加缺陷而没有显著改变该介电薄膜的物理厚度，其中该附加缺陷降低了在该介电薄膜上产生导电细丝所需的形成电压。该介电薄膜可以包括金属氧化物薄膜以及可以使用微波等离子体源来形成该等离子体激发的处理气体。