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公开(公告)号：CN100557075C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200580010029.7
申请日：2005-02-15
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4581 , C23C16/16
摘要： 本发明涉及在处理室(10)中的陶瓷衬底加热器(20，600，700)上处理衬底(25，620，720)的方法。所述方法包括：在所述处理室(10)中的所述陶瓷衬底加热器(20，600，700)上形成保护涂层(730，790)，并在所述经涂敷的衬底加热器上处理衬底(25，620，720)。所述方法可以包括将待处理的衬底(25，620，720)提供到所述经涂敷的陶瓷衬底加热器上，通过将所述衬底(25，620，720)暴露于处理气体中对所述衬底(25，620，720)进行处理，并将所述经处理的衬底从所述处理室(10)中取出。
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公开(公告)号：CN101151718A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010882.3
申请日：2006-02-16
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/469
CPC分类号： C23C8/34 , C23C8/36 , H01J37/32192 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/3144 , H01L21/31662
摘要： 本发明提供了一种在衬底上制备氧氮化物膜的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以在所述衬底上形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外(UV)辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将所述氧化物膜暴露于氮自由基来氮化所述氧化物膜，并形成所述氧氮化物膜，其中所述氮自由基是通过包含至少一种含氮的分子组合物的第二处理气体的等离子体诱导解离而形成的，所述解离使用基于通过具有多个缝隙的平面天线的微波辐射的等离子体。
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公开(公告)号：CN113795936A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080031776.3
申请日：2020-05-29
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
发明人： 史蒂文·孔西利奥 , 考利·瓦吉达 , 坎达巴拉·塔皮利 , 角村孝明 , 安藤隆 , 保罗·贾米森 , 爱德华·阿尔贝特·卡蒂埃 , 维贾伊·纳拉亚南 , 马里纳斯·J·P·霍普斯塔肯
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 一种用于控制阻变随机存取存储器(ReRAM)器件中的介电薄膜的形成电压的方法。该方法包括：在基板上沉积含有本征缺陷的介电薄膜，形成等离子体激发的含H2气的处理气体，以及将该介电薄膜暴露于该等离子体激发的处理气体中以在该介电薄膜中产生附加缺陷而没有显著改变该介电薄膜的物理厚度，其中该附加缺陷降低了在该介电薄膜上产生导电细丝所需的形成电压。该介电薄膜可以包括金属氧化物薄膜以及可以使用微波等离子体源来形成该等离子体激发的处理气体。
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公开(公告)号：CN1938450A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010029.7
申请日：2005-02-15
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/4581 , C23C16/16
摘要： 本发明涉及在处理室(10)中的陶瓷衬底加热器(20，600，700)上处理衬底(25，620，720)的方法。所述方法包括：在所述处理室(10)中的所述陶瓷衬底加热器(20，600，700)上形成保护涂层(730，790)，并在所述经涂敷的衬底加热器上处理衬底(25，620，720)。所述方法可以包括将待处理的衬底(25，620，720)提供到所述经涂敷的陶瓷衬底加热器上，通过将所述衬底(25，620，720)暴露于处理气体中对所述衬底(25，620，720)进行处理，并将所述经处理的衬底从所述处理室(10)中取出。
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公开(公告)号：CN107836034B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201680040035.5
申请日：2016-06-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 尤凯鸿 , 赫里特·J·勒斯因克 , 考利·瓦吉达 , 石坂忠大 , 袴田隆宏
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
摘要： 提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。
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公开(公告)号：CN102575344A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080040678.2
申请日：2010-08-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 考利·瓦吉达
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01L21/02148 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/31645
摘要： 本发明提供一种用于通过脉冲化学气相沉积在衬底上形成含金属-硅膜的方法。所述方法包括：在处理室中提供所述衬底；将所述衬底保持在适于在所述衬底上通过含金属气体和含硅气体的热分解化学气相沉积所述含金属-硅膜的温度下；将所述衬底暴露于所述含金属气体的连续流；以及在所述连续流期间，将所述衬底暴露于所述含硅气体的顺序脉冲。
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公开(公告)号：CN101151717A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010825.5
申请日：2006-02-16
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/469
CPC分类号： C23C8/34 , C23C8/36 , H01J37/32192 , H01L21/0214 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3144 , H01L21/31662 , H01L21/31691 , H01L28/56
摘要： 本发明提供了一种在衬底上制备用于高介电常数电介质层的界面层的方法。将所述衬底的表面暴露于氧自由基以形成氧化物膜，所述氧自由基通过第一处理气体的紫外(UV)辐射诱导解离而形成，所述第一处理气体包含至少一种包含氧的分子组合物。将氧化物膜暴露于氮自由基以氮化所述氧化物，从而形成界面层，所述氮自由基通过第二处理气体的等离子体诱导解离而形成，所述第二处理气体包含至少一种包含氮的分子组合物。高介电常数电介质层形成在所述界面层上。
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公开(公告)号：CN112805818A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN101023197A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580001783.4
申请日：2005-02-01
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J2237/2001
摘要： 本发明描述了一种用在单晶片处理系统中、具有独特的加热器元件的晶片加热组件。加热单元包括嵌入在石英护套中的碳导线元件。加热单元与石英一样不受污染，其可以允许直接接触晶片。碳“导线”或“编织”结构的机械柔韧性允许线圈构造，这允许在晶片上进行独立加热器区域控制。晶片上多个独立加热器区域允许温度梯度能够调节膜生长/沉积均匀性并且允许快速的热调节，因而具有优于传统单晶片系统的膜均匀性，使晶片的翘曲最小甚至没有。低的热质量允许快速的热响应，这使得能够进行脉冲或数字热处理，而形成层接层膜，得到改进的薄膜控制。
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公开(公告)号：CN101128922B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200580047475.5
申请日：2005-11-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02321 , H01L21/02123 , H01L21/02175 , H01L21/0234 , H01L21/28079 , H01L21/316 , H01L29/495
摘要： 一种用于在半导体器件的制作中处理栅叠层的方法包括：提供包含栅叠层的衬底，所述栅叠层具有形成在衬底上的介电层和形成在介电层上的含金属栅电极层；在等离子体中利用处理气体形成低能激发掺杂剂物质；以及将栅叠层暴露于激发掺杂剂物质以将掺杂剂结合到栅叠层中。该方法可以用于调节栅叠层的功函数。
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