公开(公告)号：CN114525497A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210142193.9

申请日：2022-02-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 杜广煜 ,  陈志立 ,  梁帅 ,  刘宇泰 ,  司文 ,  李全伟

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  G06N3/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06N3/12

Abstract: 本发明公开一种基于LSTM和NSGA‑Ⅱ对PECVD镀膜工艺的多参数优化方法，方法首先选择PECVD镀膜工艺中的参数进行镀膜实验并对结果进行表征，收集数据构成数据集；然后对数据集进行预处理，并采用预处理后的数据LSTM神经网络进行训练及测试；接着基于训练好的LSTM神经网络，利用NSGA‑Ⅱ算法对工艺参数进行多目标优化；最后根据优化后的结果，按照生产需求选择合适的工艺参数作为最终优化结果。本发明降低了探索PECVD制备工艺中的时间成本、材料成本，较人工实验相比，更提高了探索制备工艺的精度，促进薄膜制备技术的改进与发展。