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公开(公告)号：CN114671703A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210355171.0
申请日：2022-04-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/636 , C04B35/624 , C04B35/622 , B33Y70/10
Abstract: 本发明的一种碳化硅等级孔陶瓷的制备方法，属于材料技术领域。制备时，将SiC粉体、B4C粉体、CB粉体和淀粉粉体球磨混合，干燥研磨过筛；倒入溶有分散剂的水溶液中，搅拌均匀，配制混合粉体悬浮液，加入硼酸，尿素，氨水，氢氧化钾或异丙醇凝胶引发剂，搅拌均匀后，静置反应；加入流变性能调节剂，搅拌后进行高速球磨，制得用于自由直写成型技术的SiC陶瓷浆料；将SiC陶瓷浆料挤出，逐层沉积完成后，烘干去除水分，真空下高温烧结，制得碳化硅等级孔陶瓷。相应孔尺寸和孔隙率的可调控范围均远高于现有报道，且能够使得SiC陶瓷浆料具有相比于现有体系更高的粘弹性，更好的稳定性，经7天以上时间保存后，仍然能够从较细的喷嘴中高速挤出。
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公开(公告)号：CN116835987A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310885252.6
申请日：2023-07-19
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种低成本的碳化硼‑纳米SiC陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：将炭黑粉体通过PEI超声分散均匀，然后加入碳化硼，球磨得到湿料，然后在湿料中加入PVA水溶液，继续球磨后获得复合湿料；将复合湿料烘干、研磨得到复合粉体；将获得的粉体模压成型得到B4C‑炭黑素坯；将B4C‑炭黑素坯作为基体，单质硅作为熔渗剂，进行真空熔渗获得碳化硼陶瓷复合材料。本发明克服了炭黑在碳化硼浆料和坯体中容易团聚的问题，实现了在碳化硼陶瓷浆料和坯体中引入了均匀分布的炭黑，渗硅反应烧结后在碳化硼陶瓷基体中形成了纳米SiC陶瓷骨架，复合材料的力学性能得到明显提高，并且本发明工艺流程低成本、易操作、无污染，适用于大批量工业生产。
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公开(公告)号：CN114671703B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210355171.0
申请日：2022-04-01
Applicant: 东北大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/636 , C04B35/624 , C04B35/622 , B33Y70/10
Abstract: 本发明的一种碳化硅等级孔陶瓷的制备方法，属于材料技术领域。制备时，将SiC粉体、B4C粉体、CB粉体和淀粉粉体球磨混合，干燥研磨过筛；倒入溶有分散剂的水溶液中，搅拌均匀，配制混合粉体悬浮液，加入硼酸，尿素，氨水，氢氧化钾或异丙醇凝胶引发剂，搅拌均匀后，静置反应；加入流变性能调节剂，搅拌后进行高速球磨，制得用于自由直写成型技术的SiC陶瓷浆料；将SiC陶瓷浆料挤出，逐层沉积完成后，烘干去除水分，真空下高温烧结，制得碳化硅等级孔陶瓷。相应孔尺寸和孔隙率的可调控范围均远高于现有报道，且能够使得SiC陶瓷浆料具有相比于现有体系更高的粘弹性，更好的稳定性，经7天以上时间保存后，仍然能够从较细的喷嘴中高速挤出。
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公开(公告)号：CN113582700B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110729481.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/58 , C04B38/00 , C04B35/622 , C04B41/85
Abstract: 本发明涉及材料技术领域，提供一种低成本硼化钛陶瓷复合材料的制备方法，按以下步骤进行：将TiO2、B2O3、碳源按比例混合均匀，升温至一定温度进行反应合成TiB2粉体；将合成的TiB2粉体与碳源混合均匀，制成坯体；将单质Si置于TiB2坯体上方，经真空熔渗后，制得TiB2基陶瓷复合材料。本发明方法简单，对原料要求低，大大简化了TiB2粉体的生产步骤，并结合真空熔渗Si法，在相对较低的成本下制备出的复合材料致密度高、力学性能优良；本发明无论是原料还是烧结工艺，成本都要远低于传统的TiB2基陶瓷复合材料制备方法，并且能够制备各种形状复杂的制品，烧结前后制品尺寸变化＜1％。
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公开(公告)号：CN113548666A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110940019.4
申请日：2021-08-16
Applicant: 东北大学
IPC: C01B32/956
Abstract: 本发明的一种亚微米级碳化硅粉体的除铁工艺，属于碳化硅除铁技术领域，包括步骤如下：将称量好需要酸洗的SiC粉体倒入浓度为0.05～0.2mol/L的酸洗剂溶液中，进行超声辅助搅拌酸洗，超声功率为180W～270W，获得酸洗浆料；酸洗浆料经去离子水反复冲洗，获得水洗后SiC粉体；水洗后SiC粉体干燥后进行Fe杂质含量检测。本发明利用超声辅助搅拌酸洗方式，由于超声波的引入会诱导大量的空气泡产生，并且空气泡的坍塌能够在酸液中产生局部高温和高压气流，提高粉体在酸液中的扩散性及分散性，以解决亚微米级SiC粉体极易团聚，在水中不易分散的技术问题，进而提高化学反应速率，且大幅提高粉体中铁的去除率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110282977B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910520314.7
申请日：2019-06-17
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/573 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于材料技术领域，提供一种B4C/TiB2层状复合陶瓷材料的制备方法，按以下步骤进行：(1)将B4C粉体、TiB2粉体或B4C/TiB2混合粉体按比例与碳源混合均匀，充分干燥后研磨造粒，再进行过筛，选取粒度在24～60目间的颗粒作为模压物料；(2)按目标层状结构逐层将模压物料填入模具进行模压成型，经碳化后获得B4C/TiB2/C层状素坯；(3)将B4C/TiB2/C层状素坯作为骨架，采用Si作为熔渗剂，进行真空熔渗，制得B4C/TiB2层状复合陶瓷材料。本发明的方法步骤简单、温度要求低，在较低制备成本的条件下能够获得致密度高、综合力学性能优良的B4C/TiB2层状复合陶瓷材料，在制备过程中样品尺寸变化
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公开(公告)号：CN108409328A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810246408.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN119638472A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411958548.7
申请日：2024-12-30
Applicant: 东北大学
IPC: C04B37/00 , C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及陶瓷焊接技术领域，尤其涉及一种新型的反应烧结碳化硼陶瓷自渗连接方法。本发明在常温下将反应烧结碳化硼陶瓷待连接的表面抛光至粗糙度一致后压合，在高温下通过自身残余硅的扩散以及界面反应，能够成功将两块反应烧结碳化硼陶瓷连接，形成的连接层成分主要为Si、SiC、B12(C,Si,B)3三相，连接层与母材碳化硼之间适配性良好，几乎大部分保留了母材碳化硼的力学性能，此外，在界面处还形成许多细小的碳化硅相，界面结合较好，因此，本发明实现了在不添加任何中间层的条件下，较为简单地实现了反应烧结碳化硼陶瓷的连接，而且连接界面完整，气孔等缺陷较少，抗弯强度大部分保留下来。
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公开(公告)号：CN118459227A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410575736.5
申请日：2024-05-10
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本公开提供一种硼化钛复合陶瓷材料及其制备方法。其中制备方法，其包括：S1、制备酚醛树脂‑无水乙醇溶液；S2、向酚醛树脂‑无水乙醇溶液中依次加入TiB2粉末和Ni粉并进行搅拌S3、将第一混料倒入球磨罐进行混合，得到第二混料；S4、第二混料收集并进行水浴加热和搅拌，干燥后得到第三混料；S5、第三混料研磨过筛造粒，得到混合粉体；S6、混合粉体模压成型，得到若干第一坯体；S7、第一坯体进行碳化处理得到若干第二坯体；S8、将第一混合液体均匀涂抹至石墨坩埚的内壁和外壁后晾干；S9、第二坯体等距放入石墨坩埚中，将纯硅均匀覆盖在若干第二坯体上，将石墨坩埚放入炉中进行真空熔渗，最后冷却得到硼化钛陶瓷复合材料。
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公开(公告)号：CN108409328B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810246408.5
申请日：2018-03-23
Applicant: 东北大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼陶瓷复合材料的制备方法，包括如下步骤：S1、将碳化硼粉末、碳源和混料介质进行湿法混合形成混合物料，经烘干、研磨、过筛后形成待模压物料；S2、将待模压物料压制成型，经烘干后得到陶瓷坯体；S3、将硅块置于陶瓷坯体上进行真空熔渗反应烧结，得到碳化硼陶瓷复合材料前驱体；S4、除去碳化硼陶瓷复合材料前驱体表面的残留硅后将其置于加热设备中进行热处理，再冷却至室温后得到碳化硼陶瓷复合材料。本发明的碳化硼陶瓷复合材料的制备方法能够降低烧结温度，提高碳化硼陶瓷复合材料的致密性，同时能够提高碳化硼陶瓷复合材料的力学性能。
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