公开(公告)号：CN113582700A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110729481.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  夏乾 ,  杜婧婧 ,  赵义亮 ,  茹红强 ,  岳新艳 ,  王伟 ,  韩凌锋 ,  黄楠

IPC: C04B35/58 ,  C04B38/00 ,  C04B35/622 ,  C04B41/85

Abstract: 本发明涉及材料技术领域，提供一种低成本硼化钛陶瓷复合材料的制备方法，按以下步骤进行：将TiO2、B2O3、碳源按比例混合均匀，升温至一定温度进行反应合成TiB2粉体；将合成的TiB2粉体与碳源混合均匀，制成坯体；将单质Si置于TiB2坯体上方，经真空熔渗后，制得TiB2基陶瓷复合材料。本发明方法简单，对原料要求低，大大简化了TiB2粉体的生产步骤，并结合真空熔渗Si法，在相对较低的成本下制备出的复合材料致密度高、力学性能优良；本发明无论是原料还是烧结工艺，成本都要远低于传统的TiB2基陶瓷复合材料制备方法，并且能够制备各种形状复杂的制品，烧结前后制品尺寸变化＜1％。

公开(公告)号：CN113582700B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110729481.X

申请日：2021-06-29

Applicant: 东北大学

Inventor： 张翠萍 ,  夏乾 ,  杜婧婧 ,  赵义亮 ,  茹红强 ,  岳新艳 ,  王伟 ,  韩凌锋 ,  黄楠

IPC: C04B35/58 ,  C04B38/00 ,  C04B35/622 ,  C04B41/85

Abstract: 本发明涉及材料技术领域，提供一种低成本硼化钛陶瓷复合材料的制备方法，按以下步骤进行：将TiO2、B2O3、碳源按比例混合均匀，升温至一定温度进行反应合成TiB2粉体；将合成的TiB2粉体与碳源混合均匀，制成坯体；将单质Si置于TiB2坯体上方，经真空熔渗后，制得TiB2基陶瓷复合材料。本发明方法简单，对原料要求低，大大简化了TiB2粉体的生产步骤，并结合真空熔渗Si法，在相对较低的成本下制备出的复合材料致密度高、力学性能优良；本发明无论是原料还是烧结工艺，成本都要远低于传统的TiB2基陶瓷复合材料制备方法，并且能够制备各种形状复杂的制品，烧结前后制品尺寸变化＜1％。