公开(公告)号：CN105244438A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510669814.9

申请日：2015-10-13

申请人： 东北师范大学

发明人： 汤庆鑫 ,  刘益春 ,  童艳红 ,  郑磊

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  B82Y10/00

CPC分类号： H01L51/003 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/055

摘要： 本发明公开了一种可编织线状有机单晶场效应晶体管及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：1)于衬底表面涂覆得到绝缘层薄膜，并对所述绝缘层薄膜进行固化处理，得到固化处理后的绝缘层薄膜；2)将有机单晶转移至步骤1)中所述固化处理后的绝缘层薄膜上，并于所述有机单晶的两端蒸镀电极，得到平面器件；3)将步骤2)中所述平面器件转移至金丝衬底上，得到有机单晶场效应晶体管。本发明具有制作工艺简单、成本低廉，能够方便的编织和集成到其他织物上，同时具有优异的机械性能和柔韧性，尺寸更小，利于集成化，可以应用于可植入体内的探测设备，在传感器、光控开关和集成电路等器件有潜在的广泛应用。

公开(公告)号：CN105244438B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510669814.9

申请日：2015-10-13

申请人： 东北师范大学

发明人： 汤庆鑫 ,  刘益春 ,  童艳红 ,  郑磊

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  B82Y10/00

摘要： 本发明公开了一种可编织线状有机单晶场效应晶体管及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：1)于衬底表面涂覆得到绝缘层薄膜，并对所述绝缘层薄膜进行固化处理，得到固化处理后的绝缘层薄膜；2)将有机单晶转移至步骤1)中所述固化处理后的绝缘层薄膜上，并于所述有机单晶的两端蒸镀电极，得到平面器件；3)将步骤2)中所述平面器件转移至金丝衬底上，得到有机单晶场效应晶体管。本发明具有制作工艺简单、成本低廉，能够方便的编织和集成到其他织物上，同时具有优异的机械性能和柔韧性，尺寸更小，利于集成化，可以应用于可植入体内的探测设备，在传感器、光控开关和集成电路等器件有潜在的广泛应用。