公开(公告)号：CN105324341A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480034557.5

申请日：2014-06-13

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 迫田贵史 ,  安尾典之 ,  石川泰成 ,  浜岛和雄

IPC: C03B35/18 ,  C03B18/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/06 ,  C23C4/18

CPC classification number: C23C4/10 ,  C03B35/181 ,  C23C4/18

Abstract: 在金属制的辊母材表面由陶瓷热喷涂膜覆盖的、经常在高温下使用的玻璃运送用辊中，进一步抑制从该陶瓷热喷涂膜的粒子脱落及该陶瓷热喷涂膜自身的剥离。一种玻璃运送用辊，其为金属制的辊母材表面由陶瓷热喷涂膜覆盖的玻璃运送用辊，其特征在于，将500～750℃的温度范围内的所述辊母材的线性热膨胀系数设为αs、将500～750℃的温度范围内的所述陶瓷热喷涂膜的线性热膨胀系数设为αc时，αs-αc≤2×10-6/℃，且8×10-6/℃≤αc≤14×10-6/℃；所述陶瓷热喷涂膜的从常温至750℃的由热膨胀引起的伸长率为0.6％～1.05％；所述陶瓷热喷涂膜的厚度为100μm～500μm；所述陶瓷热喷涂膜的利用截面图像分析法得到的孔隙率为2％以下。

公开(公告)号：CN118043492A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066605.3

申请日：2022-12-08

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  矢野步 ,  森笹真司

IPC: C23C4/11 ,  C04B35/505 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 提供作为等离子体蚀刻装置用构件合适的、耐等离子体性高的含Y2O3的成膜材料及其制造方法。一种成膜材料，其特征在于，其为含有固溶体的成膜材料，所述固溶体包含Y2O3、和仅含有ZrO2、HfO2或Nb2O5的金属氧化物，在前述金属氧化物为ZrO2的情况下，ZrO2的含量为2～12摩尔％，前述金属氧化物为HfO2的情况下，HfO2的含量为4～24摩尔％，在前述金属氧化物为Nb2O5的情况下，Nb2O5的含量为1～8摩尔％，并且，该固溶体的晶体结构具有Y2O3的正六面体晶体结构。

公开(公告)号：CN105324341B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201480034557.5

申请日：2014-06-13

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  东华隆株式会社

Inventor： 迫田贵史 ,  安尾典之 ,  石川泰成 ,  浜岛和雄

IPC: C03B35/18 ,  C03B18/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/06 ,  C23C4/18

CPC classification number: C23C4/10 ,  C03B35/181 ,  C23C4/18

Abstract: 在金属制的辊母材表面由陶瓷热喷涂膜覆盖的、经常在高温下使用的玻璃运送用辊中，进一步抑制从该陶瓷热喷涂膜的粒子脱落及该陶瓷热喷涂膜自身的剥离。一种玻璃运送用辊，其为金属制的辊母材表面由陶瓷热喷涂膜覆盖的玻璃运送用辊，其特征在于，将500～750℃的温度范围内的所述辊母材的线性热膨胀系数设为αs、将500～750℃的温度范围内的所述陶瓷热喷涂膜的线性热膨胀系数设为αc时，αs‑αc≤2×10‑6/℃，且8×10‑6/℃≤αc≤14×10‑6/℃；所述陶瓷热喷涂膜的从常温至750℃的由热膨胀引起的伸长率为0.6％～1.05％；所述陶瓷热喷涂膜的厚度为100μm～500μm；所述陶瓷热喷涂膜的利用截面图像分析法得到的孔隙率为2％以下。

公开(公告)号：CN115244209B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180019377.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  森笹真司 ,  穴井真亮

IPC: C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。

公开(公告)号：CN115244209A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019377.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  森笹真司 ,  穴井真亮

IPC: C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。