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公开(公告)号：CN1866450A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610039204.1
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 减少碳纳米管场发射显示器件在封接中碳纳米管丢失的方法涉及采用丝网印刷阴极的碳纳米管场发射显示器件封接过程中，减少碳纳米管的丢失并降低其对碳纳米管场发射显示器件发射均匀性的影响的生产工艺技术。在碳纳米管场发射显示器件封接过程中，用丝网印刷方法于相邻两阴极之间制作绝缘介质，将真空封接腔体均匀的分割成几个较小的腔体，腔体之间通过绝缘介质条两头和中间各留出间隙相通，作为各个腔体的排气通道，形成一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构，并对其进行封接，从而降低封接腔体中气体在封接升温过程的对流程度，减少对流气体对碳纳米管的吹拂作用，因而在阴极上保留大部分的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN100580848C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610039204.1
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 减少碳纳米管场发射显示器件在封接中碳纳米管丢失的方法涉及采用丝网印刷阴极的碳纳米管场发射显示器件封接过程中，减少碳纳米管的丢失并降低其对碳纳米管场发射显示器件发射均匀性的影响的生产工艺技术。在碳纳米管场发射显示器件封接过程中，用丝网印刷方法于相邻两阴极之间制作绝缘介质，将真空封接腔体均匀的分割成几个较小的腔体，腔体之间通过绝缘介质条两头和中间各留出间隙相通，作为各个腔体的排气通道，形成一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构，并对其进行封接，从而降低封接腔体中气体在封接升温过程的对流程度，减少对流气体对碳纳米管的吹拂作用，因而在阴极上保留大部分的碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1832092A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610039205.6
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法，涉及场发射显示器栅极结构的设计、材料的选择和制作工艺流程的设计、发射材料表面处理技术，该栅极结构以玻璃衬底(1)为阴极玻璃基板，在玻璃衬底上覆盖阴极电极(2)，在阴极电极上设有致密材料薄层(4)，在阴极电极和致密材料薄层(4)上覆盖绝缘介质层(5)，在绝缘介质层(5)的中间设有绝缘介质孔(8)，碳纳米管浆料层(3)表面暴露在绝缘介质孔(8)中，下部熔入致密材料薄层(4)中，在绝缘介质层(5)的上部上覆盖栅极电极(6)，栅极电极(6)中设有栅极小孔(7)，栅极小孔与其下部的绝缘介质孔(8)对齐，绝缘介质孔(8)的横截面形状为上宽下窄的碗状结构。
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公开(公告)号：CN100495631C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610039205.6
申请日：2006-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 碳纳米管场致发射显示器件的栅极结构及其制作方法涉及场发射显示器栅极结构的设计、材料的选择和制作工艺流程的设计、发射材料表面处理技术，该栅极结构以玻璃衬底(1)为阴极玻璃基板，在玻璃衬底上覆盖阴极电极(2)，在阴极电极上设有致密材料薄层(4)，在阴极电极和致密材料薄层(4)上覆盖绝缘介质层(5)，在绝缘介质层(5)的中间设有绝缘介质孔(8)，碳纳米管浆料层(3)表面暴露在绝缘介质孔(8)中，下部熔入致密材料薄层(4)中，在绝缘介质层(5)的上部上覆盖栅极电极(6)，栅极电极(6)中设有栅极小孔(7)，栅极小孔与其下部的绝缘介质孔(8)对齐，绝缘介质孔(8)的横截面形状为上宽下窄的碗状结构。
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