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公开(公告)号：CN117878141A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410087079.X
申请日：2024-01-22
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了复合阳极纳米空气沟道二极管结构。复合阳极纳米空气沟道二极管结构，包括器件依托的半导体基底、绝缘层、阴极、平面阳极组成的具有二极管特性的纳米器件，在器件工作时将半导体基底和平面阳极共同施加阳极信号，使其实现与平面阳极共同作用形成复合型阳极，克服制作在半导体基底上的纳米空气沟道二极管在工作时基底接地对阴极表面电场的影响，降低复合阳极工作电压，提高复合阳极对阴极的调制能力。
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公开(公告)号：CN113257847B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110519054.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构，使其横向的载流子迁移率降低，载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中，光生载流子在纵向电场作用下，从顶电极向底电极输运，形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用，产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小，所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合，因此降低了邻近像素的串扰电荷信号，最终提高了γ射线的成像空间分辨率。
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公开(公告)号：CN117169947A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311059276.2
申请日：2023-08-21
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿晶体γ射线光子计数器结构及其制备方法，钙钛矿晶体γ射线光子计数器结构包括具有带隙梯度分布且不掺杂的钙钛矿晶体、p型钙钛矿层以及n型钙钛矿层；所述钙钛矿晶体具有相对的第一表面和第二表面，所述p型钙钛矿层设置在所述第一表面上，所述n型钙钛矿层设置在所述第二表面上；所述钙钛矿晶体的能量带隙自所述第一表面到所述第二表面逐渐增大或者逐渐减小。本发明通过p型钙钛矿层和n型钙钛矿层之间的具有带隙梯度分布且不掺杂的钙钛矿晶体，提高各晶体层之间的晶格匹配率，有效抑制了钙钛矿的离子迁移，减低了探测信号的基线漂移和噪声。
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公开(公告)号：CN115852481A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211609352.8
申请日：2022-12-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种生长面积和厚度可控的钙钛矿单晶厚膜的方法，该方法通过激光加热精确控制晶体形核数量为1个，然后采用局部变温加热，促使晶核进一步生长成大面积单晶厚膜。本发明的单晶厚膜生长装置能够持续提供原料，保证了单晶厚膜的持续稳定生长。该方法通过改变两层基板间隔层厚度控制单晶厚膜的厚度，最终获得了大尺寸、高质量且厚度可控的钙钛矿单晶厚膜。此外，该方法和装置还适用于多种钙钛矿材料体系。相较于原始方法，基板无需疏水化处理，降低了形核密度，解决单晶厚膜因供料不足，难以持续稳定生长的难题。该方法和装置可以得到尺寸更大、形状更加规则的钙钛矿单晶厚膜，弥补了现有技术的不足。
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公开(公告)号：CN114551726A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210156298.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于高能光子探测的隧穿光电二极管及其制备方法，采用厚度很高的本征钙钛矿晶体作为高能光子吸收体，获得较高的光子吸收和转换效率。利用溶液掺杂外延的方法在本征钙钛矿晶体两端分别生长钙钛矿P型层和N型层，构成钙钛矿PIN结，并利用结区耗尽层势垒抑制暗电流和噪声。在结区外延生长窄带隙量子点，构成能带陷阱。当高能光子入射后，钙钛矿本征吸收体产生的光生载流子注入量子点能级陷阱，并发生隧穿场致发射，获得高增益光电流。与常规的高能光子PIN探测结构相比较，由于引入了隧穿场发射结构，可以获得较高的光电流增益。与高能光子雪崩二极管探测结构向比较，由于不产生随机的雪崩效应，所以散粒噪声比较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110085497B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910330280.5
申请日：2019-04-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种基于行波管X光通信器件，属于电真空器件和通信领域，该器件针对空天飞行器在穿越大气层的黑障区过程中，利用行波管信号调制方式调制轰击X光靶的电子注流，从而产生X光信号的调制用于X光通信，以解决黑障区对微波信号的屏蔽作用，为黑障区内的通信提供有效的技术手段，对降低载荷的体积、重量和功耗具有重要的实际应用意义。
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公开(公告)号：CN111261311A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010238923.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿晶体的辐射伏特型核电池及制备方法。该核电池结构从上往下依次为：辐射源、阳极电极、p型钙钛矿层、本征钙钛矿层、n型钙钛矿层、阴极。在上述核电池结构中，辐射源发射出高能量粒子，如β粒子、X射线和γ射线等，这些高能量粒子在高厚度的钙钛矿本征层被吸收，通过光电效应产生光生电子/空穴对。P型钙钛矿层、本征钙钛矿层和n型钙钛矿层构成PIN结构，该PIN结构将形成耗尽层。由于耗尽层的内建电场，高能粒子所产生的光生电子/空穴对分离，分别向阴极和阳极漂移，形成开路电压或者短路电流。
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公开(公告)号：CN107706262B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710841003.1
申请日：2017-09-18
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及提出一种无机钙钛矿光晶体管结构的紫外探测器。基底(1)为玻璃基底，在基底(1)上制备CsPbX3薄膜(2)作为有源层，在CsPbX3薄膜(2)表面制备同物质的CsPbX3量子点(5)掺杂的PMMA有机层(4)作为栅绝缘层，以此为紫外光感应窗口；薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)分别位于CsPbX3薄膜(2)上的两边，FTO栅极(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中间，在薄膜晶体管的源极(3.1)、漏Au电极(3.2)和FTO栅极(6)调制下，获得光生载流子分离、转换的电信号读取、放大的集成功能，以实现高响应度的紫外信号探测。光晶体管探测器可采用如图1所示的顶栅结构，也可以采用如图2所示的底栅结构。以上两种结构可制备在玻璃基板上，也可以制备在柔性基板上形成底栅或顶栅结构的柔性光晶体管紫外探测器。
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公开(公告)号：CN109870238A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910139993.3
申请日：2019-02-26
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/00 , G02F1/1333 , G02F1/1335 , G02F1/1343
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体量子点和液晶的红外-可见光图像上转换器件及成像方法，从上往下依次包括上基板、可见光遮光层、红外透明电极、半导体量子点光电活性层、可见光反光层、液晶上取向层、液晶层、液晶下取向层、可见光透明电极、下基板、偏光片、可见光照射光源；在红外透明电极与可见光透明电极之间加载交变电压信号，从而在红外-可见光图像上转换器件中构建偏置电场。本发明将红外探测结构和液晶显示结构集成，实现了探测单元对显示像素的直接耦合，将入射的红外图像直接转换为可见光图像；制备时不需要像素化电极，也不需要复杂的探测信号读出电路和显示信号驱动电路，极大地简化了制备过程和器件结构，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN108831905A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810521330.3
申请日：2018-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于半导体量子点的红外探测-可见光显示集成系统、制备方法及成像方法，该系统从下往上依次包括透明基板、透明电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、网格电极、绝缘介质层、P型掺杂层、量子点红外光电转换层、N型掺杂层和后收集电极，还包括红外探测结构电源和可见光发光结构电源；透明电极与可见光发光结构电源的正极相连接；网格电极与可见光发光结构电源和红外探测结构电源的负极相连接；后收集电极与红外探测结构电源的正极相连接。本发明将探测结构和显示结构集成，实现了探测单元对显示像素的直接耦合，将入射的红外图像直接转换为可见光图像；制备时不需要像素化电极，极大地简化了制备过程，降低了制备成本。
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