公开(公告)号：CN117270104A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311398377.2

申请日：2023-10-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡国华 ,  周恩泽 ,  汪冬宇 ,  韦翔瀚 ,  马迁 ,  侯浩 ,  恽斌峰 ,  崔一平

IPC: G02B6/126 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125

Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的偏振分束旋转器，其硅波导包括输入波导、第一锥形波导、第一S弯波导、具备过滤功能的桥波导、第一输出波导、第二输出波导、第二S弯波导、第二锥形波导、第一直通波导、三段式锥形波导和具备模式转换和反射功能的纳米束波导，其中，所述输入波导、第一锥形波导、第一S弯波导、桥波导、第一输出波导依次相连，组成上波导，所述第二输出波导、第二S弯波导、第二锥形波导、第一直通波导、三段式锥形波导、纳米束波导依次相连，组成下波导。本发明偏振消光比更高、实用性更高。

公开(公告)号：CN120085413A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202510338490.4

申请日：2025-03-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡国华 ,  李昌恒 ,  汪冬宇 ,  孙耀辉 ,  周恩泽 ,  张浩宇 ,  陆嘉文 ,  恽斌峰 ,  崔一平

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/28 ,  G02B6/293 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种基于光栅辅助反向耦合器的Sagnac双环光谱整形器，包括SiO2包层和SiO2包层内部水平放置的Si波导层，所述Si波导层包括第一多模干涉耦合器、第二多模干涉耦合器、第一Sagnac环和第二Sagnac环，所述第一多模干涉耦合器与所述第一Sagnac环连接，所述第二多模干涉耦合器与所述第二Sagnac环连接，所述第一Sagnac环与所述第二Sagnac环相邻放置，所述第一Sagnac环上靠近第二Sagnac环的位置设有单侧壁调制光栅波导，所述单侧壁调制光栅波导与所述第二Sagnac环上和所述单侧壁调制光栅波导相邻的区域构成光栅波导辅助反向耦合器。本发明输出波形质量高，制造难度低。

公开(公告)号：CN117706684A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311792745.1

申请日：2023-12-25

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡国华 ,  周恩泽 ,  汪冬宇 ,  马迁 ,  韦翔瀚 ,  侯浩 ,  恽斌峰 ,  崔一平

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/125

Abstract: 本发明公开了一种基于纳米束的硅基偏振分束旋转器，所述偏振分束旋转器的波导包括输入直波导、第一刻蚀区、第二刻蚀区、耦合区下直波导、纳米束波导、第一输出直波导、第一S弯波导、耦合区上直波导、第二S弯波导、第二输出直波导，其中，所述输入直波导上设置有被部分刻蚀的第一刻蚀区和第二刻蚀区，所述输入直波导、耦合区下直波导、纳米束波导依次相连，形成下波导，所述第一输出直波导、第一S弯波导、耦合区上直波导、第二S弯波导、第二输出直波导依次相连，形成上波导。本发明尺寸小，消光比高，实用性更高。

公开(公告)号：CN117590523A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311678392.2

申请日：2023-12-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 胡国华 ,  马迁 ,  祝王华 ,  周恩泽 ,  侯浩 ,  韦翔瀚 ,  恽斌峰 ,  崔一平

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料制备的偏振‑波长混合复用器，所述偏振‑波长混合复用器的波导由LNOI材料制备而成，包括第一直波导、第二直波导、第三直波导、第一绝热锥形波导、第二锥形波导、若干微环谐振器和若干输出波导，所述第一直波导、第一绝热锥形波导、第二直波导、第二锥形波导、第三直波导依次连接，所述第二直波导和所述第三直波导的一侧都分别耦合若干组微环谐振器组，微环谐振器组由若干微环谐振器级联而成，每组微环谐振器组耦合一个输出波导。本发明可以实现TE0和TM0两种偏振模式的波分复用，通道容量是单一偏振模式的波分复用系统的两倍。