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公开(公告)号：CN117270104A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311398377.2
申请日：2023-10-26
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于SOI材料制备的偏振分束旋转器，其硅波导包括输入波导、第一锥形波导、第一S弯波导、具备过滤功能的桥波导、第一输出波导、第二输出波导、第二S弯波导、第二锥形波导、第一直通波导、三段式锥形波导和具备模式转换和反射功能的纳米束波导，其中，所述输入波导、第一锥形波导、第一S弯波导、桥波导、第一输出波导依次相连，组成上波导，所述第二输出波导、第二S弯波导、第二锥形波导、第一直通波导、三段式锥形波导、纳米束波导依次相连，组成下波导。本发明偏振消光比更高、实用性更高。
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公开(公告)号：CN116705960A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310803134.6
申请日：2023-07-03
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种具有渐变折射率复合介质层的紫外发光二极管，所述紫外发光二极管由下到上依次设置复合介质层、蓝宝石或AlN衬底、非故意掺杂AlGaN层，n型AlGaN层，多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的一种具有渐变折射率复合介质层的紫外发光二极管在蓝宝石或者AlN衬底出光面上设置折射率渐变递减的复合介质层，以改善蓝宝石或者AlN衬底折射率与空气折射率相差较大而造成的光逃逸锥较小的不足，可极大地提高UV‑LED的光提取效率和光输出功率。
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公开(公告)号：CN114975622A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210617969.8
申请日：2022-06-01
申请人： 东南大学
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/205 , H01L29/06
摘要： 本发明的一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管，包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层；在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p‑GaN通道区、n‑GaN漂移区、p+‑GaN集电区；在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1‑x1N势垒层；在所述p‑GaN通道区和n‑GaN漂移区上表面设置绝缘层；在p+‑GaN集电区上表面设置有阳极。在Alx1Ga1‑x1N势垒层上表面设置阴极，在所述绝缘层上设置栅极，栅极所在区域与p‑GaN通道区相对应。本发明的绝缘栅双极型晶体管高频响应特性更优，可彻底消除存在于传统IGBT中的闩锁效应。
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公开(公告)号：CN113257968B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110509350.0
申请日：2021-05-11
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种具有氮极性面n型电子阻挡层的发光二极管，由下至上依次包括衬底、氮极性氮化物层、极性反转氮化物层、n型氮化物欧姆接触层、n型氮极性面电子阻挡层、非掺杂超晶格结构层、多量子阱有源层、p型氮化物欧姆接触层。在n型氮化物欧姆接触层和p型氮化物欧姆接触层上分别设置n型电极和p型电极。本发明所提供的具有氮极性面的n型电子阻挡层，能够从空间上限制电子进入有源区的数量，并且由于移除了传统的p型掺杂电子阻挡层，所以能够增加了空穴的注入率，使空穴与电子注入有源区的数量保持在均衡的水平，可提高有源区电子与空穴辐射复合发光的概率，从而提高发光二极管的性能。
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公开(公告)号：CN113481007B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110812451.5
申请日：2021-07-19
申请人： 东南大学
IPC分类号： C09K11/68
摘要： 本发明公开了一种基于双L型超表面结构增强二硫化钼荧光的方法，通过激发表面等离激元双共振增强二硫化钼的光致发光强度；其中，选用单层二硫化钼作为发光材料，利用基于双L型超表面结构激发表面等离激元共振，在激发波段和发射波段产生的双共振来增强二硫化钼的光吸收效率。本发明基于超表面手性结构，能够增强二硫化钼光致发光，并可以进一步探索谷自旋物理机制，调控荧光偏振态，同时本发明可应用于高性能低维材料器件，光电子器件等。
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公开(公告)号：CN112596155B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011488410.7
申请日：2020-12-16
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于LNOI材料的低插入损耗端面耦合器，包括基于LNOI材料的锥形渐变周期亚波长光栅波导、亚波长光栅填充缓冲区域、锥形拉锥、倒锥型耦合区域、脊型输出波导；其中倒锥型耦合区域位于上述其他结构的上方。本发明可实现光纤模式与LN脊型波导传输模式间的模式转换功能，实现低损耗光纤与芯片端面对接，适用于电光调制器、波导阵列光栅、微环谐振器等铌酸锂集成光路光学器件的端面接口，具有尺寸紧凑、耦合效率高、宽带宽等优点。
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公开(公告)号：CN110601754B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910824654.9
申请日：2019-09-02
申请人： 东南大学
IPC分类号： H04B10/079
摘要： 本发明公布了一种基于微波光子下变频的光器件光谱响应测试装置及方法，所述装置包括激光器，相位调制器，光学带通滤波器，待测器件，强度调制器，低速光电探测器，电压源，第一射频源，第二射频源，频谱仪。所述方法如下：激光进入相位调制器，由第一射频源输出的微波信号调制后，经带通滤波器产生光学单边带信号，通过待测器件后进入强度调制器，同时第二射频源输出与第一射频源频率相近的微波信号进入强度调制器，进一步调制后经低速光电探测器拍频产生两个同幅同相的低频信号，叠加后由频谱仪探测。本方法可通过检测固定低频处的响应来测试待测器件在一个频率范围内的器件响应；本发明具有测试系统复杂度低，损耗小，无需考虑信号干涉等优点。
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公开(公告)号：CN113528120A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110811775.7
申请日：2021-07-19
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种基于双共振效应实现在非共振波长处的激子谷极化方法，通过入射激光激发手性微结构衬底在入射波长处的共振，实现对覆盖层的过渡金属硫化物的吸收与荧光增强，再利用过渡金属硫化物所产生的荧光激发衬底在激子共振波长处的共振，从而实现激子在非共振波长处的谷极化。其采用的基于过渡金属硫化物的准三维手性微结构可通过聚焦离子束刻蚀配合金属溅射的方法构建，且衬底所激发的表面等离子体共振能够有效的延长激子寿命，使得室温谷极化操作成为可能。
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公开(公告)号：CN113481007A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110812451.5
申请日：2021-07-19
申请人： 东南大学
IPC分类号： C09K11/68
摘要： 本发明公开了一种基于双L型超表面结构增强二硫化钼荧光的方法，通过激发表面等离激元双共振增强二硫化钼的光致发光强度；其中，选用单层二硫化钼作为发光材料，利用基于双L型超表面结构激发表面等离激元共振，在激发波段和发射波段产生的双共振来增强二硫化钼的光吸收效率。本发明基于超表面手性结构，能够增强二硫化钼光致发光，并可以进一步探索谷自旋物理机制，调控荧光偏振态，同时本发明可应用于高性能低维材料器件，光电子器件等。
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公开(公告)号：CN113257962A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110509332.2
申请日：2021-05-11
申请人： 东南大学
摘要： 本发明公开了一种具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管，由下到上依次设置有衬底、AlN缓冲层、n型AlGaN层、p‑i‑n型多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN欧姆接触层，以及设置在n型AlGaN层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极。本发明提供的具有p‑i‑n型多量子阱结构的紫外发光二极管能够提高载流子浓度及注入效率，并可利用掺杂浓度不同的相邻区域中载流子的浓度差形成一个与原有内建电场方向相反的电场，能够削弱p型区与n型区之间原有的内建电场，降低由内建极化电场导致的量子限制斯塔克效应，从而使电子与空穴的辐射复合效率得到提高，增强紫外发光二极管的发光功率。
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