公开(公告)号：CN101604175A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910031758.0

申请日：2009-07-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴金 ,  王永寿 ,  郑丽霞 ,  赵霞 ,  姚建楠

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明公布了一种高阶温度补偿带隙基准电路，包括带隙基准主电路、反馈控制回路和输出电路，其中带隙基准主电路由六个PMOS管、二个NMOS管、三个电阻和两个PNP三极管构成，反馈控制回路由两个PMOS管、二个NMOS管和两个PNP三极管构成，输出电路由两个PMOS管和四个电阻组成。本发明电路具有较低的温度系数、较高的电源抑制比同时具有较高的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN101604175B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910031758.0

申请日：2009-07-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴金 ,  王永寿 ,  郑丽霞 ,  赵霞 ,  姚建楠

IPC: G05F3/30

Abstract: 本发明公布了一种高阶温度补偿带隙基准电路，包括带隙基准主电路、反馈控制回路和输出电路，其中带隙基准主电路由六个PMOS管、二个NMOS管、三个电阻和两个PNP三极管构成，反馈控制回路由两个PMOS管、二个NMOS管和两个PNP三极管构成，输出电路由两个PMOS管和四个电阻组成。本发明电路具有较低的温度系数、较高的电源抑制比同时具有较高的工艺稳定性。

公开(公告)号：CN201435019Y

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200920047261.3

申请日：2009-07-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 吴金 ,  王永寿 ,  郑丽霞 ,  赵霞 ,  姚建楠

IPC: G05F1/567 ,  G05F3/16

Abstract: 本实用新型公布了一种高阶温度补偿带隙基准电路，包括带隙基准主电路、反馈控制回路和输出电路，其中带隙基准主电路由六个PMOS管、二个NMOS管、三个电阻和两个PNP三极管构成，反馈控制回路由两个PMOS管、二个NMOS管和两个PNP三极管构成，输出电路由两个PMOS管和四个电阻组成。本实用新型电路具有较低的温度系数、较高的电源抑制比同时具有较高的工艺稳定性。