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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101609344B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910031757.6
申请日：2009-07-07
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明公布了一种CMOS亚阈高阶温度补偿带隙基准电路，包括电流模带隙基准电路和反馈控制回路，其中电流模带隙基准电路由六个PMOS管、四个NMOS管和五个电阻构成，反馈控制回路由两个PMOS管和四个NMOS管构成。本发明具有较低的温度系数、较高的电源抑制比。采用CSMC0.5μm标准CMOS工艺库经仿真后得到温度系数仅为0.42ppm/℃，低频下的PSRR达到78dB以上。
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公开(公告)号：CN101609344A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910031757.6
申请日：2009-07-07
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明公布了一种CMOS亚阈高阶温度补偿带隙基准电路，包括电流模带隙基准电路和反馈控制回路，其中电流模带隙基准电路由六个PMOS管、四个NMOS管和五个电阻构成，反馈控制回路由两个PMOS管和四个NMOS管构成。本发明具有较低的温度系数、较高的电源抑制比。采用CSMC0.5μm标准CMOS工艺库经仿真后得到温度系数仅为0.42ppm/℃，低频下的PSRR达到78dB以上。
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公开(公告)号：CN201429808Y
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200920047262.8
申请日：2009-07-07
Applicant: 东南大学
IPC: G05F3/30
Abstract: 本实用新型公布了一种CMOS亚阈高阶温度补偿带隙基准电路，包括电流模带隙基准电路和反馈控制回路，其中电流模带隙基准电路由六个PMOS管、四个NMOS管和五个电阻构成，反馈控制回路由两个PMOS管和四个NMOS管构成。本实用新型具有较低的温度系数、较高的电源抑制比。采用CSMC0.5μm标准CMOS工艺库经仿真后得到温度系数仅为0.42ppm/℃，低频下的PSRR达到78dB以上。
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公开(公告)号：CN201435019Y
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200920047261.3
申请日：2009-07-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公布了一种高阶温度补偿带隙基准电路，包括带隙基准主电路、反馈控制回路和输出电路，其中带隙基准主电路由六个PMOS管、二个NMOS管、三个电阻和两个PNP三极管构成，反馈控制回路由两个PMOS管、二个NMOS管和两个PNP三极管构成，输出电路由两个PMOS管和四个电阻组成。本实用新型电路具有较低的温度系数、较高的电源抑制比同时具有较高的工艺稳定性。
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