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公开(公告)号:CN111337905A
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:CN202010201299.2
申请日:2020-03-20
Applicant: 东南大学
IPC: G01S7/4865 , G01S7/4861 , G01J5/10 , G01J1/44
Abstract: 本发明公开了一种基于CTIA的双模式焦平面像素级电路,提供一种具有主动和被动成像双模式的像素级电路,电路由运算放大器、比较器、锁存器、反馈电容、采样电容等部分组成,锁存器开关控制主被动模式的切换。CTIA是电路主结构,采用两个反馈电路用于主、被动成像信息的采样,获得光强信息与光子飞行时间信息,满足新型复合应用需求。本发明还公开了一种基于CTIA的双模式焦平面像素级电路的实现方法。本发明能够在有限的面积内同时实现光照强度检测和光子飞行时间检测两种功能,具有像素单元面积小、集成度高的优点。
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公开(公告)号:CN111337905B
公开(公告)日:2021-12-28
申请号:CN202010201299.2
申请日:2020-03-20
Applicant: 东南大学
IPC: G01S7/4865 , G01S7/4861 , G01J5/10 , G01J1/44
Abstract: 本发明公开了一种基于CTIA的双模式焦平面像素级电路,提供一种具有主动和被动成像双模式的像素级电路,电路由运算放大器、比较器、锁存器、反馈电容、采样电容等部分组成,锁存器开关控制主被动模式的切换。CTIA是电路主结构,采用两个反馈电路用于主、被动成像信息的采样,获得光强信息与光子飞行时间信息,满足新型复合应用需求。本发明还公开了一种基于CTIA的双模式焦平面像素级电路的实现方法。本发明能够在有限的面积内同时实现光照强度检测和光子飞行时间检测两种功能,具有像素单元面积小、集成度高的优点。
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