公开(公告)号：CN117394679A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311322386.3

申请日：2023-10-12

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  东南大学 ,  国网安徽省电力有限公司

发明人： 李春龙 ,  黄辉 ,  刘鑫 ,  郭经红 ,  鞠登峰 ,  吴建辉 ,  梁云 ,  李俊寅 ,  谢祖帅 ,  王昊原 ,  董翔宇 ,  刘文涛 ,  曾鹏飞 ,  高志东 ,  宋若鹏

IPC分类号： H02M3/07 ,  H02M1/00

摘要： 本发明涉及能量收集技术领域，公开了一种应用于能量收集的DC‑DC导通时间控制电路，通过将输入电压从电压域转换到时间域，比较恒定导通时间大小和自适应导通时间大小，完成了导通时间控制方法的自适应切换，通过自适应切换避免了因自适应导通时间控制方法在低输入电压下的最大功率跟踪效率低，高输入电压下恒定导通时间控制方法DC‑DC自身效率低导致的问题，提升了DC‑DC在整个输入电压范围内的整体效率。并且加入使能控制逻辑电路，可根据电路的自适应切换状态来关闭或打开带使能控制的电压转电流电路，节省功耗。

公开(公告)号：CN113805635B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202111072369.X

申请日：2021-09-14

申请人： 东南大学

发明人： 吴建辉 ,  李俊寅 ,  谢祖帅 ,  王昊原 ,  周全才 ,  瞿剑

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，该电流基准源包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)；此电流基准源为全MOS管结构，可提供皮安(pA)级的低温度系数基准电流，功耗限制在110pW左右，利用MOS管的栅极泄露替代了传统电流基准源中的大电阻，减小了电路面积，同时向2T偏置结构注入与工艺相关的偏置电压，通过同类型管，产生稳定的ΔVTH，使得该电流源无需修调电路，便可使基准电流大小对工艺失配不敏感，同时在各个工艺角下取得低温度系数。

公开(公告)号：CN113805635A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111072369.X

申请日：2021-09-14

申请人： 东南大学

发明人： 吴建辉 ,  李俊寅 ,  谢祖帅 ,  王昊原 ,  周全才 ,  瞿剑

IPC分类号： G05F1/567

摘要： 本发明公开了一种抗工艺失配、无电阻的低温度系数电流基准源，该电流基准源包括第一场效应管(M1)、第二场效应管(M2)、第三场效应管(M3)、第四场效应管(M4)、第五场效应管(M5)、第六场效应管(M6)、第七场效应管(M7)；此电流基准源为全MOS管结构，可提供皮安(pA)级的低温度系数基准电流，功耗限制在110pW左右，利用MOS管的栅极泄露替代了传统电流基准源中的大电阻，减小了电路面积，同时向2T偏置结构注入与工艺相关的偏置电压，通过同类型管，产生稳定的ΔVTH，使得该电流源无需修调电路，便可使基准电流大小对工艺失配不敏感，同时在各个工艺角下取得低温度系数。