公开(公告)号：CN106409938A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610947579.1

申请日：2016-10-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 王琦龙 ,  陈广甸 ,  翟雨生 ,  李裕培 ,  李晓华

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于锥形超表面结构的光伏型光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括自下而上依次设置的表面为三维纳米锥阵列结构的金属衬底、禁带宽度大于入射光子能量的半导体薄膜层、金属薄膜层。本发明提供一种制备这种基于锥形超表面结构的光伏型光电探测器的方法，制备方法包括在铝衬底上制备多孔阳极氧化铝薄膜，然后去除铝衬底表面的阳极氧化铝薄膜，然后再制备半导体薄膜层、金属薄膜层。该三层结构构成超表面结构，通过控制金属薄膜层厚度、半导体层材料厚度或者纳米锥的结构参数可以调控超吸收的吸收频段。此种光电探测器制备工艺简单，便于大面积制备，无需复杂的微纳加工技术，即可实现高效宽波段宽角度光电探测。

公开(公告)号：CN106409938B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610947579.1

申请日：2016-10-26

Applicant: 东南大学

Inventor： 王琦龙 ,  陈广甸 ,  翟雨生 ,  李裕培 ,  李晓华

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种基于锥形超表面结构的光伏型光电探测器及其制备方法，所述光电探测器包括自下而上依次设置的表面为三维纳米锥阵列结构的金属衬底、禁带宽度大于入射光子能量的半导体薄膜层、金属薄膜层。本发明提供一种制备这种基于锥形超表面结构的光伏型光电探测器的方法，制备方法包括在铝衬底上制备多孔阳极氧化铝薄膜，然后去除铝衬底表面的阳极氧化铝薄膜，然后再制备半导体薄膜层、金属薄膜层。该三层结构构成超表面结构，通过控制金属薄膜层厚度、半导体层材料厚度或者纳米锥的结构参数可以调控超吸收的吸收频段。此种光电探测器制备工艺简单，便于大面积制备，无需复杂的微纳加工技术，即可实现高效宽波段宽角度光电探测。