公开(公告)号：CN114235233B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202111541027.8

申请日：2021-12-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 ,  邹祉晗 ,  李良伟 ,  黄晓东

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，主要包括体硅层、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、重掺杂区、绝缘介质层、压焊块和钝化层；顶硅层中心位置设有大空腔，并在大空腔四边中心位置的上方设有小空腔；大空腔上方的顶硅层和绝缘介质层构成压力敏感薄膜；压力敏感薄膜上表面设置十字梁结构，在所述的十字梁结构四个端部设置有压敏电阻、重掺杂区和金属引线，各组压敏电阻通过重掺杂区与金属引线形成惠斯通电桥；所述的十字梁结构抑制了压力敏感薄膜的形变，进而提高了线性度；所述的小空腔结构提高了压敏电阻区域的应力集中，使得传感器在保持微型化的同时提高了灵敏度；此外该传感器制备方法与CMOS与MEMS工艺兼容，节约成本。

公开(公告)号：CN114235233A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111541027.8

申请日：2021-12-16

Applicant: 东南大学

Inventor： 张志强 ,  邹祉晗 ,  李良伟 ,  黄晓东

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明公开了一种MEMS压力传感器及其制备方法，主要包括体硅层、埋氧层、顶硅层、压敏电阻、重掺杂区、绝缘介质层、压焊块和钝化层；顶硅层中心位置设有大空腔，并在大空腔四边中心位置的上方设有小空腔；大空腔上方的顶硅层和绝缘介质层构成压力敏感薄膜；压力敏感薄膜上表面设置十字梁结构，在所述的十字梁结构四个端部设置有压敏电阻、重掺杂区和金属引线，各组压敏电阻通过重掺杂区与金属引线形成惠斯通电桥；所述的十字梁结构抑制了压力敏感薄膜的形变，进而提高了线性度；所述的小空腔结构提高了压敏电阻区域的应力集中，使得传感器在保持微型化的同时提高了灵敏度；此外该传感器制备方法与CMOS与MEMS工艺兼容，节约成本。