公开(公告)号：CN110148648A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910414019.3

申请日：2019-05-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  陆亮 ,  崔一平

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，包括由下至上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂i-Alx1Ga1-x1N缓冲层、n型n-Alx2Ga1-x2N层、非掺杂i-Alx3Ga1-x3N吸收层、双掺杂Al组分渐变p-Alx4Ga1-x4N/i-Alx5Ga1-x5N/n-Alx6Ga1-x6N分离层、非掺杂i-Alx7Ga1-x7N倍增层、p型p-Alx8Ga1-x8N层以及p型GaN层；在n型n-Alx1Ga1-x1N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，其中x1>x2=x3=x4>x5>x6=x7>x8，通过对分离层两端的Al组分渐变区域分别进行p型掺杂和n型掺杂，可利用组分渐变伴随的极化诱导效应，增加载流子浓度，进一步增强极化电场。

公开(公告)号：CN110148648B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201910414019.3

申请日：2019-05-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 张雄 ,  陆亮 ,  崔一平

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种具有双掺杂Al组分渐变分离层的紫外探测器，包括由下至上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂i‑Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型n‑Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i‑Alx3Ga1‑x3N吸收层、双掺杂Al组分渐变p‑Alx4Ga1‑x4N/i‑Alx5Ga1‑x5N/n‑Alx6Ga1‑x6N分离层、非掺杂i‑Alx7Ga1‑x7N倍增层、p型p‑Alx8Ga1‑x8N层以及p型GaN层；在n型n‑Alx1Ga1‑x1N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，其中x1>x2=x3=x4>x5>x6=x7>x8，通过对分离层两端的Al组分渐变区域分别进行p型掺杂和n型掺杂，可利用组分渐变伴随的极化诱导效应，增加载流子浓度，进一步增强极化电场。