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公开(公告)号：CN114883463B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202210618153.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 东南大学
IPC: H10H20/841 , H10H20/812
Abstract: 本发明公开了一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管，包括由下而上依次设置的光子晶体反射层、衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱结构、电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层，所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极。其中光子晶体反射层由二种金属层和二种氧化物层交替插入组成，本发明通过引入由二种金属层和二种氧化物层交替插入形成的光子晶体反射层结构，能够对光子晶体反射层的光子禁带进行调制，可灵活并且极大地改变光子晶体反射层的反射率与适用波段，从而可实现对LED的较宽连续波段的发射光具有高反射率，因而能够有效地提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN118196876B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410620084.2
申请日：2024-05-20
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种虚拟身份认证装置及其认证方法，认证装置包括视频采集模块（1）、中央处理模块（2）和投影显示模块（3），中央处理模块（2）包括逻辑控制模块（20）、视频处理模块（21）、身份认证模块（22）、通讯模块（23）和存储模块（24）；对进入识别范围被检测到的所有通行人员保持实时跟踪并进行人脸识别；在得到通行人员识别结果后，通过投影不同颜色标记的方式将不同识别结果投影到对应通行人员的面部；本发明有效解决现有的身份认证通过效率低的问题，从而提高了用户体验。
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公开(公告)号：CN118313426A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410733669.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 东南大学
IPC: G06N3/067
Abstract: 本发明公开了一种光学卷积装置及其工作方法，所述装置包括顺序排列的输入模块（1）、移像模块（2）、滤波模块（3）和积分池化模块（4）；所述输入模块包括多个互相部分重叠的待卷积子图像块按阵列排列；移像模块包括多个复眼透镜按阵列排列；滤波模块包括多个卷积核图案按阵列排列；积分池化模块包括多个池化单元按阵列排列。通过扫描移像模块将输入模块的光学图像分区域扫描平移至滤波模块前，经过包括特定图案阵列的滤波模块滤波后，投射到积分池化模块表面进行光学积分池化完成提取特征。通过光学卷积装置对深度学习卷积神经网络的特征提取部分进行光学信号处理，可以大幅提高卷积速度，降低功耗。
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公开(公告)号：CN116382481A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310361579.3
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于脑机接口技术的人机交互眼镜。该人机交互眼镜包括交互眼镜主体，脑电信号分析模块，受控模块。其中，交互眼镜主体，包含刺激模块与脑电信号采集模块。本发明通过刺激模块提供不同频率的刺激，利用脑电信号分析模块来分析脑电信号采集模块收集的多通路脑电信号中的特征信息，进行注视点相对于刺激坐标系的二维坐标信息的定位，并将其转换为控制指令传输至相应的受控端执行，以视觉形式反馈信息给用户。本发明将刺激模块转换至可穿戴设备上，提升了SSVEP‑BCI系统的简单，方便与便携性，并且采用空间编码的方式，缓解了用户视觉上的不舒适感，更加贴合用户日常生活中的人机交互习惯。
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公开(公告)号：CN116360600A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310357637.5
申请日：2023-04-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稳态视觉诱发电位的空间定位系统。该系统中的刺激模块利用四个闪烁阵列的空间编码策略，诱发的SSVEP信号经脑电信号采集模块放大采集后进行信号预处理，接着利用各个刺激频率分量的幅度，相位，相关系数及其各编码刺激频率或相位对应的相关系数之比作为特征信息来解码空间信息以确定视线注视的坐标，最后将坐标信息转换为指令传给受控操作模块，以实现视觉反馈。本发明能够有效解决现有空间编码中划分区域面积和分区的目标数目有限且无法分辨各个分区的边缘信息的问题，实现了视觉负荷低并能在屏幕中精准定位的BCI，为实现高集成的嵌入式BCI系统提供了可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599903B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010578934.9
申请日：2020-06-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有极化掺杂复合极性面电子阻挡层的紫外LED，包括由下至上依次设置的衬底、低温AIN成核层、高温AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、Alx1Ga1‑x1N/Alx2Ga1‑x2N多量子阱有源区、极化掺杂复合极性面电子阻挡层和p型Alx5Ga1‑x5N层，所述n型AlGaN层上设置n型欧姆电极，所述p型Alx5Ga1‑x5N层上设置p型欧姆电极，所述极化掺杂复合极性面电子阻挡层包括由下至上设置的氮极性面p型Alx3Ga1‑x3N电子阻挡层和金属极性面p型Alx4Ga1‑x4N电子阻挡层。本发明的极化掺杂复合极性面电子阻挡层具有更高的电子阻挡层空穴浓度，有利于p型Alx5Ga1‑x5N层的空穴注入；减小了有源区与电子阻挡层的晶格失配，提高了外延层晶体质量；增加了有源区电子空穴的辐射复合效率，提高了紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN109545933A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811324994.7
申请日：2018-11-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种非极性图形化AlN/蓝宝石复合衬底及其制备方法，其结构包括r面图形化蓝宝石衬底、蓝宝石图形、掩膜层和AlN覆盖层，蓝宝石图形是r面图形化蓝宝石衬底的一部分，为非对称的圆锥或棱锥结构，即朝向[1101]晶向倾斜，该结构可从而有效解决非极性III族氮化物外延生长过程中沿不同方向生长速率不同而导致晶体质量难以提高的问题。同时，AlN覆盖层是蓝宝石衬底在NH3氛围下高温分解的同时与NH3直接反应生成的。本发明提供的复合衬底不仅可以有效减少III族氮化物在外延生长过程中O杂质的并入，并能在不消耗Al源的前提下，在蓝宝石衬底表面获得致密的高质量非极性AlN覆盖层，对在其上生长高质量非极性III族氮化物及相关器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107240615B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710338137.1
申请日：2017-05-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种具有非极性吸收层的紫外探测器，包括：自下而上依次设置的衬底、AlN中间层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、非极性AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱吸收分离层、非掺杂AlzGa1‑zN倍增层、p型AlGaN层，在p型AlGaN层上设置的p型欧姆电极，在n型AlGaN层上设置的n型欧姆电极，其中0
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公开(公告)号：CN108346687A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810004329.3
申请日：2018-01-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/0684 , H01L29/7787
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，该晶体管由下至上依次包括衬底(101)、GaN或AlN缓冲层(102)、GaN沟道层(103)、AlxGa1-xN势垒层(104)、覆盖在AlxGa1-xN势垒层(104)之上的绝缘层(106)、设置在绝缘层(106)之上的栅极电极(107)、设置在GaN沟道层(103)之上的源极电极(108)和漏极电极(105)以及在源极电极(108)外侧的B掺杂区(110)和在漏极电极(105)外侧的A掺杂区(109)，其中0
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公开(公告)号：CN104966769B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510283134.3
申请日：2015-05-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种具有双光子晶体结构的量子点发光二极管，其自下而上依次包括衬底101，空穴注入层102，在空穴注入层102设置的反射型光子晶体即光子晶体一103，空穴传输层104，量子点有源区105，在电子传输层107设置的缺陷型光子晶体即光子晶体二106，电子传输层107，电子注入层108。本发明的有益效果为：显著提高LED的光提取效率；提高LED的内量子效率，最终也有利于提高LED的发光功率和亮度。
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