公开(公告)号：CN114719459A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210222008.7

申请日：2022-03-08

申请人： 东南大学 ,  镇江蓝舶科技股份有限公司

发明人： 王潇 ,  张小松 ,  宋翼 ,  薛鼎 ,  胡颖健 ,  朱军 ,  朱旭东

IPC分类号： F25B7/00 ,  F25B49/02 ,  F25B41/20

摘要： 本发明涉及一种复叠热泵驱动的深度除湿系统及应用，系统包括：具有低温制冷循环和高温制冷循环的复叠式热泵、一级除湿转轮、二级除湿转轮；湿空气经复叠式热泵的冷端冷凝除湿后，从冷端出口进入一级除湿转轮的除湿区进行一次吸附除湿，一次吸附除湿后，根据除湿需求，或者从一级除湿转轮的除湿区出口排出，或者进入二级除湿转轮的除湿区实现二次吸附除湿；再生空气经复叠式热泵的热端加热升温后，从热端出口流出后，根据再生需求，或者分别进入一级除湿转轮的再生区和二级除湿转轮的再生区，或者只进入一级除湿转轮的再生区，以实现吸湿剂的再生。本发明可根据不同工况调整转轮吸附除湿的级数，满足不同湿度范围的空气的深度除湿要求围。

公开(公告)号：CN113592084B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202110837609.4

申请日：2021-07-23

申请人： 东南大学

发明人： 刘旭 ,  王春清 ,  朱旭东 ,  曹一凡 ,  吴奕征 ,  梅奇勋 ,  欧瀚文 ,  王百航

IPC分类号： G06N3/067 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明公开了基于反向优化超结构卷积核的片上光子神经网络，包括N个隐藏层和一个全连接层，所述隐藏层包括依次连接的激光器阵列、电光调制器、超结构卷积核、光电探测器和池化层，所述超结构卷积核包括超结构波分复用器、以及M个级联的超结构光散射单元和移相器，其中，超结构波分复用器用于将光信号被分为m路不同波长范围输出，超结构光散射单元将m路不同波长范围的光信号按比例重新分配功率后从不同的输出端口分别输出，实现卷积运算中不同权重的分配。本发明的片上光子神经网络，具备高带宽、低损耗等优势，且超结构的光子器件经反向设计具有良好性能，可便捷改变器件的目标性能，减少芯片制作时的内部器件需求。

公开(公告)号：CN113592069A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110818425.3

申请日：2021-07-20

申请人： 东南大学

发明人： 刘旭 ,  曹一凡 ,  吴奕征 ,  梅奇勋 ,  欧瀚文 ,  王春清 ,  朱旭东 ,  王百航

IPC分类号： G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明公开了一种四输入逻辑运算的光子神经网络，包括依次连接的电光调制单元、预处理单元、N层光子神经网络单元和第一光电转换单元；所述电光调制单元用于将输入的电信号转换为四维光信号并输出到预处理单元，所述预处理单元用于在四维光信号的基础上添加第五维信号，将四维光信号变为五维光信号，五维光信号向量的L2范数为定值，五维光信号再经过N层光子神经网络单元运算后输出特征结果到第一光电转换单元转化为电信号，得到最终的输出。本发明的电光混合的片上神经网络，具备高带宽、低损耗等优势。

公开(公告)号：CN113592069B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202110818425.3

申请日：2021-07-20

申请人： 东南大学

发明人： 刘旭 ,  曹一凡 ,  吴奕征 ,  梅奇勋 ,  欧瀚文 ,  王春清 ,  朱旭东 ,  王百航

IPC分类号： G06N3/067 ,  G06N3/084

摘要： 本发明公开了一种四输入逻辑运算的光子神经网络，包括依次连接的电光调制单元、预处理单元、N层光子神经网络单元和第一光电转换单元；所述电光调制单元用于将输入的电信号转换为四维光信号并输出到预处理单元，所述预处理单元用于在四维光信号的基础上添加第五维信号，将四维光信号变为五维光信号，五维光信号向量的L2范数为定值，五维光信号再经过N层光子神经网络单元运算后输出特征结果到第一光电转换单元转化为电信号，得到最终的输出。本发明的电光混合的片上神经网络，具备高带宽、低损耗等优势。

公开(公告)号：CN115394845A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211175790.8

申请日：2022-09-26

申请人： 东南大学

发明人： 魏家行 ,  朱旭东 ,  付浩 ,  隗兆祥 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种隧穿功率器件及其制造方法。包括，N型衬底，N型外延层，倾斜侧壁的第一源极区，第一源极区下方设有P型区域，外延层上方设有栅氧化层和栅电极，栅电极的上方设有钝化层，第一源极区上表面设有第二源极区，衬底下表面设有漏极金属。本发明的优势在于，隧穿功率器件降低了器件关断时的漏电流；第一源极区与漂移区形成的肖特基接触改善了器件的第三象限特性，减小了器件的动态功耗；显著降低了功率器件的元胞宽度，具有更低的导通电阻，降低了器件的静态功耗；侧壁倾斜的第一源极区减弱了隧穿点的耗尽作用，同时削弱了静电屏蔽效应，提高了器件的正向导通电流。

公开(公告)号：CN113592084A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110837609.4

申请日：2021-07-23

申请人： 东南大学

发明人： 刘旭 ,  王春清 ,  朱旭东 ,  曹一凡 ,  吴奕征 ,  梅奇勋 ,  欧瀚文 ,  王百航

IPC分类号： G06N3/067 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

摘要： 本发明公开了基于反向优化超结构卷积核的片上光子神经网络，包括N个隐藏层和一个全连接层，所述隐藏层包括依次连接的激光器阵列、电光调制器、超结构卷积核、光电探测器和池化层，所述超结构卷积核包括超结构波分复用器、以及M个级联的超结构光散射单元和移相器，其中，超结构波分复用器用于将光信号被分为m路不同波长范围输出，超结构光散射单元将m路不同波长范围的光信号按比例重新分配功率后从不同的输出端口分别输出，实现卷积运算中不同权重的分配。本发明的片上光子神经网络，具备高带宽、低损耗等优势，且超结构的光子器件经反向设计具有良好性能，可便捷改变器件的目标性能，减少芯片制作时的内部器件需求。