含金属的CHA型沸石和其制造方法

    公开(公告)号:CN109650403B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201811184745.2

    申请日:2018-10-11

    Abstract: 提供氮氧化物还原特性优异、不同于以往的含金属的CHA型沸石和其制造方法。提供一种含金属的CHA型沸石,其特征在于,在IR光谱中,3685cm‑1以上且3750cm‑1以下的范围中的吸收峰的最大强度相对于1800cm‑1以上且1930cm‑1以下的范围中的吸收峰的最大强度之比低于1.5。这样的含金属的CHA型沸石优选通过一种制造方法得到,所述制造方法的特征在于,具备将金属源与CHA型沸石进行混合的含金属的工序,所述CHA型沸石的IR光谱中的3665cm‑1以上且3750cm‑1以下的范围中的吸收峰相对于1800cm‑1以上且1930cm‑1以下的范围中的吸收峰的强度比低于1.5。

    CHA型沸石和其制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109195911B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201780032379.6

    申请日:2017-05-23

    Abstract: 本发明提供:与以往的CHA型沸石、特别是仅使用ADA盐作为有机结构导向剂而得到的以往的CHA型沸石相比,更适于催化剂、催化剂载体的高结晶性的CHA型沸石。一种CHA型沸石,其为如下沸石中的任意者:二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为10.0以上且低于20.0和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且0.50×10‑2以下,二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为20.0以上且35.0以下和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且1.10×10‑2以下,二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为超过35.0且45.0以下和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且1.65×10‑2以下,或二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为超过45.0且55.0以下和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10‑2以上且1.80×10‑2以下。

    CHA型沸石和其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109195911A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201780032379.6

    申请日:2017-05-23

    Abstract: 本发明提供:与以往的CHA型沸石、特别是仅使用ADA盐作为有机结构导向剂而得到的以往的CHA型沸石相比,更适于催化剂、催化剂载体的高结晶性的CHA型沸石。一种CHA型沸石,其为如下沸石中的任意者:二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为10.0以上且低于20.0和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10-2以上且0.50×10-2以下,二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为20.0以上且35.0以下和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10-2以上且1.10×10-2以下,二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为超过35.0且45.0以下和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10-2以上且1.65×10-2以下,或二氧化硅相对于氧化铝的摩尔比为超过45.0且55.0以下和硅烷醇基相对于硅的摩尔比为0.15×10-2以上且1.80×10-2以下。

    AEI型沸石的制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107922205B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201680046871.4

    申请日:2016-08-09

    Abstract: 提供:不依赖于具有Y型结构的结晶性硅酸铝的结构转换、并且不使用氟、磷从而可以得到AEI型沸石的制造方法。一种AEI型沸石的制造方法,其特征在于,具备将组合物结晶并且满足如下至少任一条件的结晶工序,所述组合物含有氧化铝源、二氧化硅源、结构导向剂、钠源和水、且结晶性硅酸铝相对于氧化铝源和二氧化硅源的总重量的重量比率为0重量%以上且10重量%以下,所述条件为:前述组合物的氢氧化物离子相对于二氧化硅的摩尔比为0.45以上;前述组合物包含用(CH3)3RN+(R为碳数1以上且4以下的烷基,该烷基任选包含1个以上的取代基)表示的阳离子;或,结晶时间为80小时以上。

    一种CHA型沸石及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116034090A

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN202180057259.8

    申请日:2021-08-06

    Abstract: 本发明提供基于与以往的耐热性改善不同的方法改善CHA型沸石的耐热性、改善耐热性的CHA型沸石的制造方法、以及这样的CHA型沸石的至少任一种。优选的是,提供一种CHA型沸石,其特征在于,在1H‑MAS‑NMR谱中,在化学位移3.0~3.5ppm处具有峰位的最大峰的积分强度相对于在化学位移4.0~4.5ppm处具有峰位的最大峰的积分强度之比为大于0.12且0.5以下,并且,在IR谱中,在波数3630cm‑1以上且3650cm‑1以下具有峰位的吸收峰的最大峰高相对于波数3590cm‑1以上且3610cm‑1以下具有峰位的吸收峰的最大峰高之比为0.40以上且1.0以下。

    AEI型沸石的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107922205A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680046871.4

    申请日:2016-08-09

    CPC classification number: C01B39/48 B01J29/70 C01B39/04

    Abstract: 提供:不依赖于具有Y型结构的结晶性硅酸铝的结构转换、并且不使用氟、磷从而可以得到AEI型沸石的制造方法。一种AEI型沸石的制造方法,其特征在于,具备将组合物结晶并且满足如下至少任一条件的结晶工序,所述组合物含有氧化铝源、二氧化硅源、结构导向剂、钠源和水、且结晶性硅酸铝相对于氧化铝源和二氧化硅源的总重量的重量比率为0重量%以上且10重量%以下,所述条件为:前述组合物的氢氧化物离子相对于二氧化硅的摩尔比为0.45以上;前述组合物包含用(CH3)3RN+(R为碳数1以上且4以下的烷基,该烷基任选包含1个以上的取代基)表示的阳离子;或,结晶时间为80小时以上。

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