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公开(公告)号:CN103917685B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201280054872.5
申请日:2012-11-07
申请人: 东曹SMD有限公司
IPC分类号: C23C14/00
CPC分类号: H01J37/3426 , B08B3/04 , B08B3/08 , C23C14/0652 , C23C14/165 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3435
摘要: 提供一种包括Si靶和背衬板的溅射靶组件,其中所述背衬板结合到所述靶上。Si靶包括平滑的、镜面状的表面,并具有小于约15.0埃的表面粗糙度。提供用于制造硅靶/背衬板组件的方法,其中,加工硅坯件以从坯件表面去除划痕,产生靶上的镜面状的表面、以及15.0埃或更小的表面粗糙度。该方法包括第一和第二清洁步骤,第一步骤在划痕去除步骤之前进行,且第二步骤在划痕去除之后进行。
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公开(公告)号:CN103917685A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201280054872.5
申请日:2012-11-07
申请人: 东曹SMD有限公司
IPC分类号: C23C14/00
CPC分类号: H01J37/3426 , B08B3/04 , B08B3/08 , C23C14/0652 , C23C14/165 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3435
摘要: 提供一种包括Si靶和背衬板的溅射靶组件,其中所述背衬板结合到所述靶上。Si靶包括平滑的、镜面状的表面,并具有小于约15.0埃的表面粗糙度。提供用于制造硅靶/背衬板组件的方法,其中,加工硅坯件以从坯件表面去除划痕,产生靶上的镜面状的表面、以及15.0埃或更小的表面粗糙度。该方法包括第一和第二清洁步骤,第一步骤在划痕去除步骤之前进行,且第二步骤在划痕去除之后进行。
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