公开(公告)号：CN114464688A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111287113.0

申请日：2021-11-02

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 中原正博 ,  森下直哉 ,  越智裕

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供太阳能电池单元的电极形成方法，该方法通过对钝化膜进行烧穿而形成与硅半导体基板进行电接触的电极，获得高于以往的转换效率。具体而言，本发明为一种太阳能电池单元的电极形成方法，该方法通过对在单面或两面具备钝化膜的硅半导体基板的钝化膜进行烧穿而形成与硅半导体基板进行电接触的电极，该方法具有：(1)在钝化膜的表面上将铝糊料A涂布为图案状的工序1，铝糊料A相对于100质量份的铝含有10质量份以上40质量份以下的硅，且对钝化膜不具有烧穿性；(2)在工序1中未涂布铝糊料A的部分涂布铝糊料B的工序2，铝糊料B相对于100质量份的铝含有0质量份以上15质量份以下的硅，且对钝化膜具有烧穿性。

公开(公告)号：CN102473756A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033927.5

申请日：2010-06-28

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 石桥直明 ,  菊地健 ,  越智裕

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： 提供糊组合物及具备使用所述组合物而形成的电极的太阳能电池元件，所述糊组合物不仅能够满足使硅半导体衬底上不产生翘曲、在煅烧后得到的铝电极层上不产生气泡和铝球等外观特性，还可以满足使铝电极层与硅半导体衬底之间的密合性提高、抑制铝电极层与水分的反应等特性。所述糊组合物用于在硅半导体衬底(1)上形成电极(8)，所述糊组合物包含铝粉末、有机质载体及玻璃粉，且所述玻璃粉包含至少一种选自由氧化钛、氧化钒、氧化铁、氧化钼、氧化钕及氧化钨组成的组中的过渡金属氧化物。太阳能电池元件具备使用上述糊组合物而形成的背面电极(8)。

公开(公告)号：CN101868859A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880116386.5

申请日：2008-11-20

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 菊地健 ,  池田真和 ,  大熊隆 ,  加藤晴三 ,  宫泽吉辉 ,  越智裕 ,  松村贤 ,  石桥直明

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01B1/16 ,  H01B1/023 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供糊组合物及设有使用该糊组合物形成的电极的太阳能电池元件，该糊组合物在较厚的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层、或在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层中的任意一种情况下使用时，均能够达到与以往同等以上的BSF效果，用于在较薄的硅半导体衬底上形成较薄的背面电极层时，能够达到与以往同等以上的BSF效果，而且与使用现有的糊组合物形成较薄的背面电极层时相比，能够抑制焙烧后的硅半导体衬底的变形。糊组合物含有铝粉作为导电性粉末，并且铝粉含有薄片状铝粒子。太阳能电池元件设有将上述糊组合物涂布到硅半导体衬底(1)的背面上后进行焙烧而形成的背面电极(8)。

公开(公告)号：CN102292820A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201080005173.2

申请日：2010-01-14

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 和辻隆 ,  菊地健 ,  越智裕 ,  石桥直明

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0288 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种糊组合物、和具有使用该组合物形成的杂质层、或杂质层和电极层的太阳能电池元件，所述糊组合物，即使在使硅半导体衬底变薄的情况下，也不会使电极层的机械强度、密合性降低，能够充分达到所期望的BSF效果，且能够抑制煅烧后的硅半导体衬底的变形(翘曲)。糊组合物用于在硅半导体衬底(1)上形成p+层(7)或铝电极层(5)，含有铝包覆化合物粉末。构成该铝包覆化合物粉末的各铝包覆化合物粒子包含：选自由无机化合物和有机化合物组成的组中的至少1种化合物粒子；和包覆所述化合物粒子的表面、位于所述铝包覆化合物粒子的最外表面、并且含有铝的含铝包覆层。

公开(公告)号：CN101681942A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019372.1

申请日：2008-04-07

申请人： 东洋铝株式会社

发明人： 赖高潮 ,  越智裕 ,  宫泽吉辉 ,  和辻隆 ,  加藤晴三

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01L31/068 ,  C03C8/02 ,  C03C8/04 ,  C03C8/10 ,  C03C8/18 ,  C03C14/006 ,  C03C2214/08 ,  C03C2214/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/547

摘要： 本发明提供一种糊组合物和具有使用该糊组合物形成的电极的太阳能电池元件，所述糊组合物无论是用于在厚的硅半导体衬底上形成厚的背面电极层时或是在薄的硅半导体衬底上形成薄的背面电极层时均能够充分实现至少与现有水平同等以上的BSF效应，并且用于在薄的硅半导体衬底上形成薄的背面电极层时，能够在实现与现有水平同等以上的BSF效应的同时抑制煅烧后硅半导体衬底的变形。所述糊组合物含有铝粉末作为导电性粉末，并且，作为不可避免的杂质元素而含有的铁和钛的合计含量为0.07质量％以下。所述太阳能电池元件具有通过将上述糊组合物涂布在硅半导体衬底(1)的背面上后进行煅烧而形成的背面电极(8)。