公开(公告)号：CN102709439B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210139133.8

申请日：2012-05-08

申请人： 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司

发明人： 吴朝晖 ,  刘浩 ,  韦元宝 ,  徐芳莉

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

摘要： 本发明公开一种LED陶瓷支架及其制备方法，包括陶瓷基板和铜线路；该陶瓷基板上设有通孔，该铜线路穿过该通孔，铜线路与陶瓷基板之间设有钛层，该钛层的厚度为0.05～0.2μm；LED陶瓷支架依次经过打孔、超声波清洗、离子源蚀刻、磁控溅镀、化学沉铜、贴干膜、曝光、显影、电镀加厚、镀锡、去干膜、去钛、铜层及去锡步骤制成；藉此，由于采用导热系数大于20W/m·K的Al2O3陶瓷作为基材，故而散热性好；由于采用超声波清洗、离子源蚀刻及磁控溅射对陶瓷基板进行处理，并配合溅镀合适厚度的钛层，因此各金属层附着力高；本发明制备方法重复性好，成本低，产品结构精细，散热性好，布线精度高，产品可直接用作精密型高功率LED芯片支架。

公开(公告)号：CN102709439A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210139133.8

申请日：2012-05-08

申请人： 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司

发明人： 吴朝晖 ,  刘浩 ,  韦元宝 ,  徐芳莉

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

摘要： 本发明公开一种LED陶瓷支架及其制备方法，包括陶瓷基板和铜线路；该陶瓷基板上设有通孔，该铜线路穿过该通孔，铜线路与陶瓷基板之间设有钛层，该钛层的厚度为0.05～0.2μm；LED陶瓷支架依次经过打孔、超声波清洗、离子源蚀刻、磁控溅镀、化学沉铜、贴干膜、曝光、显影、电镀加厚、镀锡、去干膜、去钛、铜层及去锡步骤制成；藉此，由于采用导热系数大于20W/m·K的Al2O3陶瓷作为基材，故而散热性好；由于采用超声波清洗、离子源蚀刻及磁控溅射对陶瓷基板进行处理，并配合溅镀合适厚度的钛层，因此各金属层附着力高；本发明制备方法重复性好，成本低，产品结构精细，散热性好，布线精度高，产品可直接用作精密型高功率LED芯片支架。

公开(公告)号：CN202662663U

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201220201805.9

申请日：2012-05-08

申请人： 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司

发明人： 吴朝晖 ,  刘浩 ,  韦元宝 ,  徐芳莉

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L33/64 ,  H01L33/62

摘要： 本实用新型公开一种LED陶瓷支架，包括陶瓷基板和铜线路；该陶瓷基板上设有通孔，该铜线路穿过该通孔，铜线路与陶瓷基板之间设有钛层，该钛层的厚度为0.05～0.2μm；LED陶瓷支架依次经过打孔、超声波清洗、离子源蚀刻、磁控溅镀、化学沉铜、贴干膜、曝光、显影、电镀加厚、镀锡、去干膜、去钛、铜层及去锡步骤制成；藉此，由于采用导热系数大于20W/m·K的Al2O3陶瓷作为基材，故而散热性好；由于采用超声波清洗、离子源蚀刻及磁控溅射对陶瓷基板进行处理，并配合溅镀合适厚度的钛层，因此各金属层附着力高；本实用新型成本低，产品结构精细，散热性好，布线精度高，产品可直接用作精密型高功率LED芯片支架。